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[常见问题解答]快速掌握TVS瞬态抑制二极管的基础知识[ 2025-03-15 10:36 ]

TVS（Transient Voltage Suppressor）瞬态抑制二极管是一种专门用于抑制瞬态高压冲击的半导体器件，能够有效保护敏感电子设备免受电压瞬变的损害。在现代电子电路中，TVS二极管已广泛应用于电源、通信、汽车电子以及数据传输线路等领域。一、TVS瞬态抑制二极管的工作原理TVS二极管的核心原理基于PN结的雪崩击穿效应。当电路中出现瞬态高压（如雷击、静电放电或电磁脉冲）时，TVS二极管会迅速进入导通状态，提供低阻抗通路，将多余电流快速泄放到地，以避免后级电路遭受高压损坏。一旦异常电压消失，TVS二极管

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[常见问题解答]MOS管频繁烧毁？揭秘5大元凶及有效防护对策[ 2025-03-13 14:22 ]

MOS管在电子电路中广泛应用，但许多工程师都会遇到一个棘手问题——MOS管频繁烧毁。这不仅影响设备的正常运行，还可能引发严重的安全隐患。那么，究竟是什么原因导致MOS管损坏？又该如何有效防护？1. 过压击穿：雪崩效应的致命威胁MOS管的漏源极（VDS）耐压有一定限制，当电路中出现瞬态高压（如浪涌或感性负载关断时的电压尖峰）超过其耐压值时，可能会发生雪崩击穿，导致局部过热并烧毁MOS管。例如，在某共享充电宝的设计中，由于未添加瞬态电压抑制器（TVS管），在用户插拔充电器的瞬间，MOS管直接被3

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[常见问题解答]如何判断瞬态抑制二极管的好坏？实用检测方法解析[ 2025-03-05 11:14 ]

瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor，简称TVS）在电子电路中起着关键的保护作用，能够在短时间内抑制瞬态过压，防止敏感元件受损。然而，TVS二极管在长期使用或遭受过高瞬态电压冲击后可能会失效。因此，如何准确判断TVS二极管的好坏成为保障电子设备稳定运行的重要环节。一、TVS二极管的工作原理概述TVS二极管是一种基于雪崩击穿效应工作的半导体器件。在正常情况下，它相当于一个高阻抗的开路状态，但当电压瞬态升高并超出其额定值时，TVS二极管会迅速导通，使瞬态能量通过自身泄放，将电压钳制在

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[常见问题解答]TVS瞬态抑制二极管如何有效抑制电压瞬变[ 2025-02-08 10:33 ]

TVS瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor，简称TVS）是一种关键的半导体器件，主要用于防止电子设备因瞬态电压冲击而受损。瞬态电压可能来源于雷击、电感负载开关或静电放电等外部干扰。本文将详细解析TVS瞬态抑制二极管如何有效抑制电压瞬变，帮助读者更好地理解其工作原理及实际应用价值。一、TVS瞬态抑制二极管的工作原理TVS二极管的核心工作原理是基于PN结的雪崩击穿效应。当外部电压超过击穿电压时，PN结迅速进入雪崩击穿状态，形成低阻抗通道，将瞬时高电压迅速导向地面，保护敏感的电子元件免

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[常见问题解答]如何避免MOS管雪崩：实用技巧与方法[ 2024-09-21 11:10 ]

MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）在高压和高电场的环境下容易发生雪崩击穿，这是一种由载流子（电子或空穴）倍增引发的连锁反应，导致电流急剧增加，可能致使器件损坏。为了防止这一现象，本文将探讨一些有效的技巧和方法来避免MOS管雪崩，确保电路的稳定运行。1. 优化器件结构提升MOS管的耐压能力是预防雪崩的首要措施。通过使用高质量的材料和优化器件的物理结构可以显著提高其抗压能力。例如，采用高介电常数材料作为栅绝缘层可以降低MOS管内部的电场强度，从而减轻电场对载流子的加速效应。同时，增加PN结的掺杂浓度能有效减小

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[常见问题解答]了解TVS管在稳压场景中的应用限制[ 2024-08-17 15:47 ]

TVS管（瞬态电压抑制二极管）是一种专为保护电子设备免受电压突变伤害而设计的半导体器件。虽然它们在抑制瞬态过电压方面表现出色，但在稳压场景中的使用却受到一定的限制。本文旨在深入探讨TVS管在稳压场景中的应用局限，帮助读者更好地理解何时以及如何适当地使用这种器件。一、TVS管的基本功能与工作原理TVS管能够在纳秒级别内响应电压突变，迅速将过高电压限制在安全范围内。它的工作原理基于PN结的反向击穿特性，当电压超过设定的击穿电压时，PN结会发生雪崩击穿，形成一个低阻抗通道，迅速将过电压引导至地线，从而保护电路不受损害。二

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[常见问题解答]ESD保护器件的原理介绍[ 2024-01-24 18:28 ]

ESD保护器件的原理介绍常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性，能够瞬间进入低阻态，故具有良好的电流泄放能力，可以作为ESD防护器件。这类器件在电应力下的I-V特性示意图见图1。图1 常用ESD器件的I-V曲线示意图1. Diode在ESD设计中，Diode是一种常见的器件。图2为Diode的一种典型应用情况，在VDD相对于VSS发生Positive ESD Pulse时，Diode发生雪崩击穿并释放ESD电流，从而保护内部电路不受

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[常见问题解答]关于MOS管烧毁的原因有哪些[ 2023-12-15 18:22 ]

关于MOS管烧毁的原因有哪些MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料由于高温而分解）。更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿，这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中，可能是在低至10V-15V 时发生，电路设计必须将其限制在安全水平。还有可能是功率过载，超过绝对最大额定值和散热不足，都会导致MOS管发生故障。接下来就来看看所有可

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[常见问题解答]MOSFET场效应管电性能相关参数介绍[ 2023-06-25 15:27 ]

场效应管MOSFET电性能相关参数介绍本篇主要介绍电性能相关的参数。相关的参数如下表所示图：电性能相关参数1、漏-源极击穿电压（BVDSS）BVDSS 是反向偏压的体二极管被击穿，且雪崩倍增引发大量的电流在源极和漏极之间流动的电压。BVDSS的含义虽然与VDS略有差异，但是在数值上一般是相同的。一般技术手册中给出的VDSS为额定值，BVDSS给出的是最小值，所谓数值相同，是VDSS的额定值与BVDSS的最小值相同。VDS电压偶尔超过VDSS，MOSFET会进入雪崩击穿区，可能不会马上损坏MOSFET，但是经常超过的

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[常见问题解答]场效应管雪崩特性参数解析[ 2023-06-15 18:05 ]

MOSFET雪崩特性参数解析一、EAS与EAR的定义EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。EAR重复雪崩能量, 标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。以低于Tj（max）为极限。二、雪崩能量、温升、雪崩时间以及计算三、在什么的应用条件下要考虑雪

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[常见问题解答]MOSFET的失效机理介绍[ 2023-05-06 17:11 ]

MOSFET的失效机理介绍MOSFET的失效机理：dV/dt失效和雪崩失效本文的关键要点当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。dV/dt是单位时间内的电压变化量，VDS的上升坡度越陡，越容易发生MOSFET的dV/dt失效问题。一

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[常见问题解答]电源设计说明之齐纳二极管稳压器介绍[ 2023-01-29 15:29 ]

雪崩和齐纳效应正向偏置时，齐纳二极管的行为类似于带有 PN 结的普通硅二极管，允许电流从阳极流向阴极。然而，与在反向偏置时阻止电流流动的普通二极管不同，在达到某个反向电压阈值时，齐纳二极管开始以相反方向流动的电流导通。当施加到齐纳二极管的反向电压超过元件典型的限制阈值时，半导体耗尽区会发生称为雪崩击穿的过程，随后二极管会产生电流以限制电压的增加。在此过程中，自由电子与相邻原子的碰撞会产生电荷，从而产生热量并可能对器件造成不可逆的损坏。然而，如果二极管制造时具有非常薄且高度掺杂的耗尽区，则有可能产生反向电流，作为在结

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[行业资讯]SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:09 ]

SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

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[常见问题解答]TVS二极管选型帮助_参数特性应用详解_注意事项[ 2021-08-17 16:46 ]

TVS二极管选型帮助_参数特性应用详解_注意事项一、TVS二极管工作原理TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管，即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管，是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。TVS二极管有单向与双向之分，单向TVS二极管一般应用于直流供电电路，双向TVS二极管应用于电压交变的电路。

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[常见问题解答]关于场效应MOS管的各项参数图文解析 - 壹芯微[ 2021-08-14 15:26 ]

关于场效应MOS管的各项参数图文解析 - 壹芯微最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏 - 源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。VGS最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持V

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[常见问题解答]光电二极管与雪崩光电二极管之间的区别[ 2021-05-28 11:33 ]

光电二极管与雪崩光电二极管之间的区别本文主要是关于雪崩二极管的相关介绍，并将其与PIN光电二极管做比对，探究它俩之间的区别雪崩光电二极管PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电

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[常见问题解答]MOSFET雪崩击穿问题详情分析[ 2020-12-04 17:02 ]

MOSFET雪崩击穿问题详情分析MOSFET雪崩击穿问题分析功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。在正向偏置工作时，由于功率MOSFET是多数载流子导电，通常被看成是不存在二次击穿的器件。但事实上，当功率MOSFET反向偏置时，受电气量变化（如漏源极电压、电流变化）的作用，功率MOSFET内部载流子容易发生雪崩式倍增，因而发生雪崩击穿现象。与双极性晶体管的二次击穿不同，MOSFET

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[常见问题解答]单向和双向TVS管的对比区别[ 2020-11-05 15:53 ]

单向和双向TVS管的对比区别单向的TVS管有正负极的区别，使用方法与稳压管方法一致，双向的TVS无正负极区别。单向TVS用表测试时和普通二极管特性接近，也是单向导通，正向导通约0.6V压降，方向低压时无穷大，超过其雪崩电压才导通，双向TVS相当于两只特性一致的单向TVS复合，普通表测都不导通。下面小编为大家准备的单双管的比例区别：一、用万用表测：测量二极管的档位，单向一边通，双向2边都有电压；测直流，双向对称，单向只有反向是雪崩击穿特性，一般1mA下测。4.所有TVS管放大后会有根阴极线，它是用来区分二极管的正负

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[常见问题解答]稳压二极管以及普通二极管有什么不同-为什么能实现稳压输[ 2020-10-29 17:06 ]

稳压二极管以及普通二极管有什么不同-为什么能实现稳压输普通的二极管，像发光LED、整流二极管等工作于正向导通，如果是硅管的话导通电压使0.7V左右，而锗管导通只需要0.3V左右，每种不同的二极管导通的电压不一样，而且只允许单一的正向电流流过；但是反向加电压时候，当电压达到一定值时候发生齐纳击穿或者雪崩击穿，我们平时经常用到的1N4148耐压也就50V。如下图，在发光二极管加以5V电压，同时加一个限流电阻330欧姆。而稳压二极管却是工作于反向状态，利用电压在一定范围内电流几乎不变特点来实现稳压，如下图如果要实现稳压

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[常见问题解答]齐纳二极管在LED发光二极管方面的应用知识[ 2020-10-29 16:35 ]

齐纳二极管在LED发光二极管方面的应用知识1、什么是齐纳二极管？齐纳二极管，我们经常称为稳压二极管, 这是一种在反向特性击穿前具有高组态的半导体器件，但是在击穿后会呈现低阻态，到达低阻态时候随着电流的增加电压却维持在一个恒定值。我们称此时的这个电压齐纳电压或雪崩电压。在掺杂浓度比较高的PN结中，很容易发生齐纳击穿而不是雪崩击穿。这是因为齐纳击穿需要强电场，PN结的杂质浓度高，那么它的电荷密度也就相对大，电场强度就大，因此齐纳击穿多数发生在稳压二极管当中，而普通的二极管击穿一般都是雪崩击穿。2、齐纳二极管伏安特性

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