MOSFET雪崩特性参数解析

一、EAS与EAR的定义

EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。

如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。

EAR重复雪崩能量, 标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。以低于Tj（max）为极限。

二、雪崩能量、温升、雪崩时间以及计算

三、在什么的应用条件下要考虑雪崩能量

 对于那些在MOSFET的D和S极产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。

但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。

四、雪崩击穿（EAS/EAR）的保护

如上图所示，可在变压器（感性负载）两端并接RCD吸收回路，以降低反向尖峰电压，避免出现雪崩击穿现象；串联栅极电阻，并设置为合适值，以抑制dv/dt，增加关断时间，从而抑制反向尖峰电压，但是这又会增加关断损耗，所以栅极电阻要设置在一个合适值；也可在MOSFET的DS间并接RC吸收回路以吸收反向尖峰电压；大电流电路布线加粗、缩短距离，降低寄生电感。

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