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MOS管IRFR5305TRPBF参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:-31AV(BR)DSS漏源击穿电压:-55VRDS(ON)Ω内阻:650MΩVRDS(ON)ld通态电流:-16AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:8SGfs(min)VDS漏源电压:-25VGfs(min)lo通态电流:-16A

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    IRFR5305TRPBF是一款P沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低功耗管理的各种电路中。

    一、应用场景

    1.负载开关:IRFR5305TRPBF广泛应用于消费电子和工业自动化设备中的负载开关,以实现高效的电源管理和负载控制。

    2.电池管理系统:该器件适用于电池供电设备的电源控制和反极性保护,是便携式电子产品的理想选择。

    3.电机驱动:IRFR5305TRPBF用作小型电机控制系统中的控制开关和保护装置,有助于提高驱动效率。

    4.信号切换:由于其P沟道特性,该MOSFET广泛用于不同电压轨之间的信号切换,适合在微控制器外围电路中使用。

    5.反向电流保护:电源输入侧采用IRFR5305TRPBF,防止反向电流造成电路损坏,有效提高系统可靠性。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:开启IRFR5305TRPBF的电阻相对较低,可以显著降低功耗,适合需要高效率的场景。

    - 高电流处理能力:该器件支持高连续漏电流,适合高功率应用。

    - 宽工作电压范围:IRFR5305TRPBF具有宽电压规格,可以满足宽范围输入条件的要求。

    - 快速开关性能:该MOSFET开关速度快,适用于需要频繁操作的高频电路。

    - 优化的热性能:其设计侧重于热管理功能,可以在高性能条件下提供可靠的性能,并延长设备的使用寿命。

    总之,IRFR5305TRPBF以其卓越的性能和多样化的应用场景,是满足高效可靠的电源和信号控制需求的理想选择,极大地支持了电子产品的设计。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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