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MOS管IRFR024NTRPBF参数

PD最大耗散功率:230WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:5.8MΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:150μAGfs(min)S跨导:320SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:75A

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    IRFR024NTRPBF是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),常用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备: IRFR024NTRPBF 在通信设备中用于功率开关和信号放大。例如,在基站、路由器以及其他网络设备中,可以用于控制功率和放大信号。

    2. 电机驱动:在电机控制器中,IRFR024NTRPBF 可用作功率开关,用于控制电机的启停和速度调节。例如,在工业自动化中,可用于控制直流电机和步进电机。

    3. 电源管理:IRFR024NTRPBF 可用于开关电源和直流-直流(DC-DC)转换器中。在笔记本电脑、电动汽车充电器和工业电源等设备中,可用于控制电源输出。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRFR024NTRPBF 可用于电动工具、车载充电器等设备的功率控制和电源管理。

    5. 工业应用:IRFR024NTRPBF 还可用于逆变器、工控设备和其他工业电子设备中,实现功率控制和信号放大。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: IRFR024NTRPBF 的导通电阻通常在几个毫欧姆以下,有助于降低功率损耗。

    2. 高开关速度:该晶体管具有快速的开关速度,可实现高效能量转换。

    3. 良好的温度特性:IRFR024NTRPBF 在高温环境下仍能保持稳定性能,提高了设备的可靠性。

    综上所述,IRFR024NTRPBF 作为一款性能优异的N沟道场效应晶体管,在通信设备、电机驱动、电源管理、汽车电子和工业应用等领域有着广泛的应用。其低导通电阻、高开关速度和良好的温度特性使其成为许多电子设备和电路的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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