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MOS管FQD19N10L参数

PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源电流:15.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:100MΩVRDS(ON)ld通态电流:7.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:14SGfs(min)VDS漏源电压:30VGfs(min)lo通态电流:7.8A

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    FQD19N10L是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQD19N10L在电源管理系统中表现出色,常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器中。其低导通电阻和高开关速度能够显著提高转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等设备中,FQD19N10L可以作为主开关器件,提供高效的电能传输和稳定的性能,确保工具在高负载下仍能可靠工作。

    3. 汽车电子:FQD19N10L在汽车电子系统中应用广泛,如在电动汽车的电池管理系统(BMS)和电子控制单元(ECU)中,能有效提升系统的可靠性和耐用性。

    4. 工业控制:在工业自动化设备中,FQD19N10L用于电机驱动和控制电路,能够承受高电流和高电压,提供稳定的性能支持。

    5. 消费电子:在消费电子产品如智能手机、平板电脑等中,FQD19N10L被用作电源开关和保护电路,确保设备在各种操作条件下的安全和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQD19N10L的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下损耗的功率较小,提升了整体系统的效率。具体来说,其典型值在10毫欧左右,这对于高效能应用是非常重要的。

    - 高耐压能力:FQD19N10L的击穿电压高达100V,能够在较高的电压条件下稳定工作,适用于高电压需求的电路设计。

    - 高脉冲电流能力:FQD19N10L能够承受较高的脉冲电流,其最大脉冲电流可达120A,适用于需要短时高电流的应用场合。

    - 快速开关速度:由于其设计优化,FQD19N10L具有极快的开关速度,能够在纳秒级的时间内完成开关动作,这对于需要高频开关的电路非常关键。

    - 热性能优越:FQD19N10L的热阻低,散热性能优越,确保在高功率运行时,器件能够保持较低的结温,从而提升可靠性和寿命。

    通过以上的详细描述,可以看出FQD19N10L在多个方面表现优异,成为许多电子设计工程师的首选器件。在应用过程中,选择FQD19N10L可以显著提升电路的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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