PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:-130AV(BR)DSS漏源击穿电压:-50VRDS(ON)Ω内阻:10MΩVRDS(ON)ld通态电流:-0.1AVRDS(ON)栅极电压:-5VVGS(th)V开启电压:-0.8~-2VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:0.05SGfs(min)VDS漏源电压:-25VGfs(min)lo通态电流:-0.1A
立即咨询一、应用场景
1.负载开关和电源管理:BSS84常用于负载开关和电源管理电路,特别适合低电压和小电流应用。其P沟道特性允许栅极电压直接由控制信号提供,从而简化了高侧开关驱动电路的设计,无需额外的电平转换。
2.逻辑电平转换:BSS84具有P沟道特性,可用于逻辑电平转换电路,以实现不同电压域之间的通信。这在系统设计中非常有用,特别是在微控制器和外部传感器或执行器之间进行通信时。
3.LED驱动电路:BSS84也可用于驱动小功率LED。在此应用中,它可以用作低侧或高侧开关来控制LED的开/关,其低导通电阻可以有效降低功耗并改善电路效率。
4.反接保护电路:当需要防止电源反接时,BSS84由于其P沟道特性,可以将电源的正负极接反。如果电源正负极接反,MOSFET将不会导通,从而保护下游电路免受损坏。
二、参数特点
- 漏源电压(Vds):BSS84的最大漏源电压为-50V,可以承受高达50V的反向电压,适合一些中压应用。
- 导通电阻:标准导通电阻(Rds(on))约为5欧姆,介于-2V和-4V之间,可以用较低的栅源电压导通,适合低压控制器或逻辑电路。
- 最大电流:BSS84的最大连续电流为-170mA,适合低电流控制应用,例如信号开关和低功率负载驱动器。
- 开关速度:高开关速度允许在高频开关应用中使用,有助于减少延迟并提高系统动态性能。
总的来说,BSS84是一种低导通电阻、中压电阻、快速开关的小信号P沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、逻辑电平转换、LED驱动和反极性保护领域。BSS84能够有效简化电路设计并提高系统效率和可靠性。
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