收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 贴片MOS管 » MOS管BSS84参数

MOS管BSS84参数

PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:-130AV(BR)DSS漏源击穿电压:-50VRDS(ON)Ω内阻:10MΩVRDS(ON)ld通态电流:-0.1AVRDS(ON)栅极电压:-5VVGS(th)V开启电压:-0.8~-2VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:0.05SGfs(min)VDS漏源电压:-25VGfs(min)lo通态电流:-0.1A

立即咨询


    BSS84是一种常用的小信号P沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度,常用于电子电路中的开关控制和信号处理。BSS84广泛应用于低压控制和开关电路。

    一、应用场景

    1.负载开关和电源管理:BSS84常用于负载开关和电源管理电路,特别适合低电压和小电流应用。其P沟道特性允许栅极电压直接由控制信号提供,从而简化了高侧开关驱动电路的设计,无需额外的电平转换。

    2.逻辑电平转换:BSS84具有P沟道特性,可用于逻辑电平转换电路,以实现不同电压域之间的通信。这在系统设计中非常有用,特别是在微控制器和外部传感器或执行器之间进行通信时。

    3.LED驱动电路:BSS84也可用于驱动小功率LED。在此应用中,它可以用作低侧或高侧开关来控制LED的开/关,其低导通电阻可以有效降低功耗并改善电路效率。

    4.反接保护电路:当需要防止电源反接时,BSS84由于其P沟道特性,可以将电源的正负极接反。如果电源正负极接反,MOSFET将不会导通,从而保护下游电路免受损坏。

    二、参数特点

    - 漏源电压(Vds):BSS84的最大漏源电压为-50V,可以承受高达50V的反向电压,适合一些中压应用。

    - 导通电阻:标准导通电阻(Rds(on))约为5欧姆,介于-2V和-4V之间,可以用较低的栅源电压导通,适合低压控制器或逻辑电路。

    - 最大电流:BSS84的最大连续电流为-170mA,适合低电流控制应用,例如信号开关和低功率负载驱动器。

    - 开关速度:高开关速度允许在高频开关应用中使用,有助于减少延迟并提高系统动态性能。

    总的来说,BSS84是一种低导通电阻、中压电阻、快速开关的小信号P沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、逻辑电平转换、LED驱动和反极性保护领域。BSS84能够有效简化电路设计并提高系统效率和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号