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MOS管AO6800参数

PD最大耗散功率:1.15WID最大漏源电流:3.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:60MΩVRDS(ON)ld通态电流:3.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.5~1.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:14SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:3.4A

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    AO6800是一款N沟道场效应晶体管(NFET),常见的应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:AO6800可广泛应用于低压电源管理中,如笔记本电脑、平板电脑和移动设备等。

    2. 电源控制:在电源开关、DC-DC变换器、电池管理系统等电路中,AO6800也具有重要作用。

    3. 高效率转换:由于其低导通电阻和快速开关特性,AO6800常用于高效率的功率转换和电源控制。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:AO6800具有较低的导通电阻,能够在低电压下实现较小的功率损耗,提高系统的效率。

    2. 低阈值电压:AO6800的低阈值电压使其在低电压下即可实现可靠的开关控制。

    3. 快速开关速度:AO6800具有快速的开关特性,能够实现高频率的开关操作,有助于减小开关损耗并提高系统效率。

    4. 高耐压能力:AO6800能够承受较高的耐压,保证在各种工作环境下稳定可靠地工作。

    5. 温度稳定性:AO6800在不同温度下的性能稳定性较好,适用于各种工作环境和工作温度范围。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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