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MOS管AO6402参数

PD最大耗散功率:1.4WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:52MΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.5~1.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:15SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:3.6A

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    AO6402是一款N沟道场效应管,常见的应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 通信设备:AO6402在通信设备中用于功率放大电路。例如,在无线基站的功率放大器中,可以提高信号传输效率。

    2. 低功耗电子设备:在便携式电子设备的电源管理电路中,AO6402可以延长电池寿命。

    3. 直流-直流转换器:在电源管理模块和DC-DC转换器中,AO6402通常被选用,以提供稳定的电源输出。

    二、参数特点:

    1. 低阈值电压:AO6402的阈值电压较低,在1V以下,适用于低电压电路设计。

    2. 小导通电阻:该器件具有较小的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。

    3. 快速开关特性:AO6402具有快速的开关速度和短的开启和关闭时间,适用于要求快速响应的应用场景。

    4. 高电流承受能力:该器件具有高电流承受能力,能够稳定工作并承受瞬态过载。

    5. 多样的封装形式:AO6402的封装形式多样,如SOT-23、SOT-23-3等,适用于不同的电路设计和PCB布局需求。

    综上所述,AO6402作为一款性能稳定、用途广泛的N沟道场效应管,在各种低功耗、高效率的电路设计中都有着重要的应用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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