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MOS管AO4912参数

PD最大耗散功率:2WID最大漏源电流:8.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:26MΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:22SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:7A

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    AO4912是一种常见的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电子设备中,特别是在需要高效率和低功耗的场合。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 移动设备供电管理:AO4912通常用于智能手机、平板电脑及其他便携设备的电源管理模块,有效控制电源分配,提高电池效率。

    2. 笔记本电脑电源转换:在笔记本电脑的电源转换电路中,AO4912能够提供稳定的电压输出,确保设备稳定运行。

    3. LED照明驱动:由于其高效率和稳定性,AO4912也被用于LED照明系统中,控制电流以提供恒定的亮度。

    4. 电动汽车(EV)电池管理:在电动车的电池管理系统中,AO4912负责电池单元之间的电压平衡,增强电池性能和寿命。

    二、参数特点:

    1. 电压容量:AO4912的耐压高达20V,适用于多种高电压应用场景。

    2. 电流处理能力:该型号的连续漏极电流可达6.5A,峰值脉冲电流则能达到20A,适合高电流负载应用。

    3. 低导通电阻:AO4912的RDS(on)值极低,大大减少了功耗,提高了整体效率。

    4. 封装:采用SO-8封装,便于在电路板上集成,同时具有良好的热传导性能。

    综上所述,AO4912因其出色的电压和电流处理能力,以及低功耗特性,成为许多高效能电子设备不可或缺的部件。在设计相关电子产品时,选择AO4912可以显著提升设备的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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