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MOS管AO4900参数

PD最大耗散功率:2WID最大漏源电流:6.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:27MΩVRDS(ON)ld通态电流:6.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.7~1.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:12SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:5A

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    AO4900是一款双N沟道增强型MOSFET,具备较高的电流承载能力和低导通电阻,非常适用于高效率的电源管理应用。以下详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:AO4900由于其优异的开关特性和高效率,广泛应用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的电源管理系统中。

    2. DC-DC转换器:在DC-DC转换器设计中,AO4900可以用作高频开关,以提高转换效率,降低系统热损失。

    3. 电机驱动:凭借其高电流和低导通电阻的特点,AO4900也被用于小型电机的驱动控制,如无人机和其他小型自动化设备。

    4. 负载开关:在负载开关应用中,AO4900可以高效地进行电源路由,支持快速开关功能,减少功耗。

    5. 电池保护电路:AO4900用于电池管理系统中,尤其是在电池保护电路中,保护电池免受过充或过放的影响。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:AO4900提供了极低的导通电阻,这有助于减少能量消耗和提高整体设备的能效。

    - 最大连续漏源电流:该型号能够处理较高的连续漏源电流,使其能够支撑大功率应用。

    - 开关速度:AO4900的开关响应速度快,有助于提高应用的响应时间和频率。

    - 封装:采用紧凑型SO-8封装,使得AO4900在空间受限的应用中也能轻松应用。

    - 耐压:具有较高的耐压等级,保证在高压应用中的稳定性和可靠性。

    综上所述,AO4900因其在多个应用场景中展现出的高性能和可靠性,成为设计工程师在选择高效率电源管理解决方案时的优选。其技术参数的细节设计也使其能够适应各种复杂和要求严格的电子系统环境。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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