收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 贴片MOS管 » MOS管AO4714参数

MOS管AO4714参数

PD最大耗散功率:3WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:4.7MΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:90SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:20A

立即咨询


    AO4714是一款双N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子设备中,具有高效率和可靠性。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 负载开关:AO4714经常用于作为负载开关,控制电源的开关,以便于电子设备的能源管理,如便携式设备和智能手机。

    2. DC-DC转换器:在各种DC-DC转换器中,AO4714能够提供高效的电源转换功能,特别适用于需要低导通电阻和高速开关的应用。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统中,AO4714用于执行电池的充电和放电控制,确保电池的稳定性和延长使用寿命。

    4. 通信设备:由于其优异的电性能和耐高温特性,AO4714也常见于基站和网络交换设备的电源管理系统中。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):AO4714的导通电阻非常低,最大值为6.5 mΩ,这有助于减少在开关过程中的能量损失,提升整体的能效。

    - 耐压等级:该型号具有30V的耐压能力,适合多种中低压应用场景。

    - 最大连续电流:AO4714可以承受高达16A的连续漏源电流,适用于高电流负载场景。

    - 封装:采用SOIC-8封装,小巧且易于安装,适合紧凑设计的电子设备。

    - 开关速度:具有较高的开关速度,可以满足快速开关要求的电路设计。

    综上所述,AO4714的优越性能使其在高效能和低能耗的电子设备设计中具有广泛的应用价值。其高性能的开关特性和低导通电阻特点,特别适合用于需要精确电源管理和高效能转换的现代电子设备。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号