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MOS管AO4704参数

PD最大耗散功率:3.1WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:11.5MΩVRDS(ON)ld通态电流:13AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.6~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:30SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:13A

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    AO4704是一种低电压、双N沟道MOSFET,主要用于移动设备和高效率的电源管理应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 移动设备:AO4704由于其超小封装和低栅极电荷特性,非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理,能有效控制电源的开关,提高电池使用效率。

    2. 电源管理:在笔记本电脑和台式机的电源管理模块中,AO4704可用于DC-DC转换器,提供稳定的输出电压和高效的电能转换。

    3. 负载开关:AO4704也常用作高效的负载开关,控制其他电路的电源供应,优化系统功耗。

    4. LED驱动:由于其高效的电流驱动能力,AO4704适合用于LED照明驱动电路,控制LED的亮度和工作状态。

    二、参数特点:

    1. 阈值电压:AO4704的阈值电压低,一般在0.5V至1.2V之间,这使得它在低电压环境下也能高效工作,非常适合用于电池供电的应用。

    2. 导通电阻:具有极低的导通电阻,通常在20毫欧姆以下,这有助于减少功率损耗,提高整体效率。

    3. 最大连续漏极电流:AO4704可以承受较高的连续漏极电流,达到20A,保证在高电流需求场合依然保持稳定性。

    4. 封装:采用紧凑的DFN封装,非常适合在空间受限的应用中使用,如移动设备内部。

    综上所述,AO4704的应用场景广泛,而其优秀的电气参数使其在多种电子设备中扮演着关键角色,尤其是在需要精细电源管理和高效能转换的场合。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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