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MOS管AO4618参数

PD最大耗散功率:2WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:19MΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.3~2.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:33SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:8A

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    AO4618是一款双N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:AO4618常用于开关电源中的同步整流器。这款MOSFET的低导通电阻(RDS(on))特性使其在电源转换过程中具有较高的效率,从而减少了功率损耗和热量产生。因此,它是移动设备、笔记本电脑以及台式计算机电源模块的理想选择。

    2. 电机控制:在电机控制电路中,AO4618的低开关损耗特性使其适合用作高速开关元件。这种应用通常出现在电动工具、无人机和机器人等领域,通过控制电机的电流和电压来调节电机的速度和方向。

    3. 充电管理:AO4618也用于电池充电管理系统,尤其是在需要高效率和低热量的应用中。它可以在充电和放电过程中控制电流流动,从而确保电池的安全和寿命。

    4. 负载开关:在消费电子和通信设备中,AO4618可以用作负载开关。它能够有效地控制电流通断,保护电路免受过流或短路的影响。这种应用场景包括智能手机、平板电脑和通信基站等设备。

    5. DC-DC转换器:AO4618在DC-DC转换器中发挥着关键作用,尤其是用于降压转换器。其快速开关速度和低漏电流特性使其成为高效能量转换的理想选择,从而提高设备的整体效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AO4618的导通电阻非常低,这使得它在工作时产生的功率损耗较小。低RDS(on)意味着更少的热量散失,这对于需要高效散热的应用尤其重要。

    - 高开关速度:该MOSFET的高开关速度使其能够在高频应用中表现出色。AO4618的快速切换能力减少了开关损耗,提高了整体系统的效率。

    - 高耐压:AO4618的漏源击穿电压(VDS)较高,通常在30V左右,这使其能够承受较高的电压应力,适用于多种高压场景。

    - 低门极电荷(Qg):低门极电荷使AO4618能够快速响应控制信号,减少开关时间。低Qg特性还意味着驱动器的功耗更低,这对于电池供电设备尤为关键。

    - 强抗干扰能力:AO4618具有良好的抗干扰性能,适用于要求高信号完整性的应用。它在噪声环境中仍能稳定工作,这对于通信设备和敏感电子系统尤为重要。

    综上所述,AO4618凭借其出色的参数特点和广泛的应用场景,在各类电子设备中得到广泛使用。其低导通电阻、高开关速度、高耐压等优点,使其成为电源管理、电机控制、充电管理、负载开关和DC-DC转换器等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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