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MOS管AO4607参数

PD最大耗散功率:2WID最大漏源电流:6.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:28MΩVRDS(ON)ld通态电流:6.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:10SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:6.9A

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    AO4607是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电源管理和负载开关电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源管理系统中,AO4607常用于DC-DC转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高开关速度使其在这些应用中具有高效能和低功耗的优势。

    2. 负载开关:AO4607适用于负载开关应用,能够有效控制电流的开关和切换,适用于笔记本电脑、智能手机等需要精确电流控制的设备。

    3. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和驱动电路中,AO4607可用于控制高电流负载,提升系统的整体效率和可靠性。

    4. 工业控制:AO4607在工业自动化控制系统中也有广泛应用,例如用于电机驱动、继电器控制和PLC控制系统中,确保高可靠性和长使用寿命。

    5. 消费电子:在消费电子产品中,如LED照明、智能家居设备和音频设备中,AO4607可实现高效的电源管理和负载控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AO4607的典型导通电阻为30mΩ(VGS=10V),这意味着在相同电流条件下,其能耗更低,效率更高。

    - 高开关速度:AO4607具备快速的开关特性,适合高频率操作的应用。这一特点在DC-DC转换器和高频信号处理电路中尤为重要。

    - 高额定电流和电压:AO4607的最大额定电流为4.2A,最大漏源电压(VDSS)为30V,能够处理较大功率的负载,适用于需要高可靠性的大电流应用场景。

    - 低栅极电荷(Qg):AO4607的栅极电荷典型值为12nC,低栅极电荷使其驱动损耗低,适合高效能应用。

    - 增强型MOSFET结构:AO4607采用增强型MOSFET结构,确保在栅极电压为零时无导通现象,提高了系统的安全性和稳定性。

    综上所述,AO4607凭借其低导通电阻、高开关速度、高额定电流和电压、低栅极电荷等优异特性,在电源管理、负载开关、电动汽车、工业控制和消费电子等多个领域中都有着广泛的应用。其卓越的性能和可靠性使得AO4607成为众多设计工程师的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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