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MOS管AO4604参数

PD最大耗散功率:2WID最大漏源电流:6.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:28MΩVRDS(ON)ld通态电流:6.9AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:10SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:6.9A

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    AO4604是一种双N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),在许多电子设备和电路设计中被广泛应用。以下是AO4604的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:AO4604常被用于DC-DC转换器中,作为开关元件提高转换效率。

    2. 功率放大:在功率放大电路中,AO4604可以作为功率放大器的输出级元件,提供高电流输出,适用于音频放大器和射频放大器等。

    3. 信号切换:由于其快速开关特性,AO4604常用于高速数据通信设备,如路由器和交换机中,作为开关元件实现信号的快速切换。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:AO4604的典型值约为30mΩ,适合高电流应用中的低功率损耗需求。

    - 漏源极电压:最大值为30V,AO4604能够承受较高电压,适用于各种电压水平的应用。

    - 低门源极电压阈值:低至1.0V,使AO4604在低压驱动下能正常工作,适用于电池供电设备。

    - 快速开关速度:典型开关时间小于10ns,AO4604适用于高速开关电路。

    - 良好散热性能:封装方式为DFN3x3-8,AO4604有利于散热管理。

    综上所述,AO4604凭借其低导通电阻、高电流承载能力、宽工作电压范围和快速开关特性,成为众多电子电路设计中的理想选择。无论是在电源管理、功率放大还是信号切换等应用中,AO4604都展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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