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MOS管AO4578参数

PD最大耗散功率:3.1WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:5.7MΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.4~2.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:62SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:20A

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    AO4578是一种常用于高效电源管理系统中的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻和高开关速度,被广泛应用于多种电子设备和电源转换器中。在消费电子产品中,如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等,AO4578常用于充电器、稳压电源模块以及DC-DC转换器中,确保设备能够在不同负载条件下维持稳定的电压输出。此外,AO4578还被应用于LED照明驱动器中,凭借其优异的导通特性,可以有效降低能量损耗,提高照明系统的整体效率。

    一、应用场景

    1.消费电子产品:在智能手机、笔记本电脑等设备中,AO4578常用于充电器、稳压电源模块以及DC-DC转换器,确保设备在不同负载条件下维持稳定的电压输出。

    2.LED照明驱动:AO4578在LED照明驱动器中也有广泛应用,凭借其优异的导通特性,能有效降低能量损耗,提高系统整体效率。

    3.汽车电子:AO4578在汽车电子控制单元(ECU)、电动窗控制系统以及动力系统中的电源管理模块中,确保车辆电子系统在各种复杂环境下的稳定运行。

    二、参数特点

    - 最大漏源电压(Vds):AO4578的最大漏源电压为30V,适用于中低压应用场景,非常适合3.3V或5V系统的电源管理。

    - 导通电阻(Rds(on)):导通电阻低至6.8毫欧姆,使得AO4578在导通时能极大地减少功率损耗,提升电路效率。

    - 最大漏极电流(Id):AO4578的最大漏极电流为8A,能够支持较大的电流负载,适用于需要高电流传输的应用场景。

    - 栅极阈值电压(Vgs(th)):AO4578的栅极阈值电压范围为1V至3V,意味着它可以在较低的门极驱动电压下启动,适应性强。

    - 高开关速度:得益于10nC的栅极电荷,AO4578能够在高频开关电路中快速切换,减少开关损耗,提高整体电路效率。

    总的来说,AO4578凭借其优异的电气性能和广泛的应用范围,成为了各类电子设备中不可或缺的核心元件。在未来的电子产品开发中,AO4578有望继续发挥重要作用,推动技术的不断进步和发展。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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