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MOS管AO4476参数

PD最大耗散功率:3.7WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:10.5MΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:33SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:15A

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    AO4476是一种常见的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),在电子设备中广泛应用于功率管理和信号开关等方面。下面将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景

    1. 电源管理:由于AO4476具有较低的导通阻抗和良好的开关特性,它常用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑以及笔记本电脑中的电源管理系统。它有助于实现高效的电源转换和分配,优化设备的电池续航时间。

    2. 电机驱动:在小型电机控制应用中,AO4476可以用于驱动电机。例如,在无人机、小型风扇或其他便携式设备的电机控制模块中,它负责调节电机的速度和扭矩。

    3. 负载开关:AO4476也可用作高效的负载开关,控制设备内部各个部件的电源供应。它能精确控制电源的开启与关闭,确保设备运行稳定。

    4. LED驱动:在LED照明解决方案中,AO4476能够提供稳定的电流驱动,确保LED灯具的亮度和效率。

    二、参数特点

    1. 最大耗散功率:AO4476的最大耗散功率为2.5W,这使其能在不增加额外散热措施的情况下工作在较高功率的应用场景。

    2. 最大连续漏源电压(V_DS):AO4476的V_DS最高可达30V,适用于多种中等电压等级的应用。

    3. 最大连续漏电流(I_D):其最大连续漏电流高达11A,表明这种MOSFET可以处理较大的电流,适合高电流负载的场合。

    4. 栅极阈值电压(V_GS_th):AO4476的V_GS_th为0.5V至1.5V,意味着它可以在较低的栅极驱动电压下工作,适合低功耗设备。

    5. 导通阻抗(R_DS(on)):在10V栅极驱动电压下,其导通阻抗仅为8.5mΩ,确保在开通状态下有很低的功耗和热损失。

    总的来说,AO4476因其卓越的电气性能和灵活的应用场景,成为电子设计工程师在设计各种电子产品时的优选组件。这种MOSFET的高效性和可靠性使其在高科技领域的电子设备中得到了广泛的应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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