PD最大耗散功率:3.1WID最大漏源电流:11.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:14MΩVRDS(ON)ld通态电流:11.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:19SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:11.6A
立即咨询一、应用场景
1.电源管理:AO4468广泛应用于电源管理电路,特别适合断路器、电源保护等功能。特点具有出色的降低功耗能力,非常适合移动设备和节能应用。它通常设计为电源开关模块的一部分,可以降低待机功耗并提高整体系统效率。
2.负载开关:对于需要控制负载开/关的应用,AO4468可在低负载下使用。开启电压和快速开关功能有效降低负载电流浪涌,保护电路免受电流突然变化的影响,延长系统寿命。特别适用于手机、笔记本电脑等电池供电的设备,可以得到有效控制。
3.电机驱动:AO4468具有高电流容量和低开关损耗,适合驱动小型直流电机和步进电机。在此类应用中,晶体管的开关特性可确保稳定的电流调节,从而确保电机可靠运行。
4.信号开关:对于信号开关应用,AO4468的低漏电流特性保证了信号传输过程中的稳定性,使其适用于需要高信号保真度的通信和音频设备。减少信号源的负载并保持信号完整性。
二、参数特点
- 低导通电阻:AO4468的导通电阻(Rds(on))仅为几毫欧(栅极驱动电压为4.5V时通常为10毫欧)。这意味着运行期间的热损失减少并且效率提高。此功能特别适合需要高电源效率的便携式设备和电源管理应用。
- 高电流容量:AO4468的最大漏极电流通常达到12A,在驱动大电流负载时提供优异的性能。该参数允许用于需要更高电流的电机控制和电源负载开关。
- 低开启电压:AO4468的开启电压通常在1-2V左右,对于电池供电的便携式设备,此功能可延长设备寿命并提高能效。
- 高输入阻抗:高输入阻抗使AO4468不仅可以降低信号传输应用中的信号源负载,还可以降低功耗。这在需要更高信号质量的应用中发挥着重要作用,例如通信和音频设备。
总的来说,AO4468凭借其低导通电阻、高电流能力、低导通电压和快速开关速度等优点,已成为广泛使用的器件。MOSFET器件在电源管理、负载开关、电机驱动和信号开关等应用中提供卓越的性能和可靠性,使其成为许多电源和信号控制解决方案的理想选择。
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