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MOS管AO4459参数

PD最大耗散功率:3.1WID最大漏源电流:-6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:-46MΩVRDS(ON)ld通态电流:-6.5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1.5~-2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:11SGfs(min)VDS漏源电压:-5VGfs(min)lo通态电流:-6.5A

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    AO4459是一款P沟道MOSFET,常用于电源管理和开关电路。下面详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景

    1.电源管理:AO4459可用于各种电源管理应用,例如线性稳压器和DC-DC转换器,有助于实现高效的配电。

    2.开关电源设计:在开关电源设计中,AO4459可以有效控制电流流动,降低开关损耗,提高系统效率。

    3.电机控制:较高的电流容量使AO4459适合电机驱动和控制,特别是无刷电机和步进电机应用。

    4.负载开关:AO4459可作为负载开关,方便地控制设备电源开关,适用于便携式和家用电子产品。

    5.LED驱动:在LED照明应用中,AO4459可用作开关元件来调节电流并提高照明效率。

    二、参数特点

    - 额定电压:AO4459的最大源漏电压为30V,适合中低压应用。

    - 导通电阻:低导通电阻(RDS(on))通常处于低范围,从而最大限度地降低导通状态功耗并提高整体效率。

    - 电流容量:AO4459可承受高达30A的连续电流,适合高负载应用。

    - 开关速度:该P沟道MOSFET具有更快的开关特性,使其适合高频开关应用,有助于降低开关损耗。

    - 封装形式:AO4459通常采用SO-8封装,适合紧凑的PCB设计和实用布局。

    综上所述,AO4459非常适合电源管理和电路设计,其卓越的电气性能和广泛的应用范围使设计人员能够开发出更高效、更可靠的电子产品。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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