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MOS管AO4442参数

PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源电流:3.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:130MΩVRDS(ON)ld通态电流:3.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:8.2SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:3.1A

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    AO4442是一款N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子设备中。该型号的特点和应用场景如下详细分析:

    一、应用场景

    1.电源管理:AO4442适用于各种电源管理系统,特别是在需要高效率和低功耗的场合。例如,它常见于便携式设备的电源转换器和电池管理系统中。

    2.开关电路:在开关电路中,AO4442用于控制电流的开关操作,这在工业控制系统和家用电器中尤为常见。

    3.电机驱动:由于其高电流和高电压容忍特性,AO4442也适用于各种电机驱动应用,如小型电动机或风扇的速度调节。

    4.充电器:在充电器设计中,AO4442被用于提高充电效率,尤其是在快速充电技术中,它可以有效控制电流的传输和断开。

    5.LED照明:AO4442在LED照明系统中,用于调节电流,以保持光效和颜色的稳定性。

    二、参数特点

    - 电压容忍度:AO4442具有高达30V的漏源极电压,这使得它能够在较高的工作电压下稳定工作。

    - 电流承载能力:该型号能够承受高达8A的连续漏源极电流,适合于那些需要高电流的应用。

    - 导通电阻:AO4442的导通电阻较低,通常在10 mΩ以下,这有助于降低工作中的热损耗,提高整体效率。

    - 封装:采用常见的SOIC-8封装,便于在不同的电路板设计中应用,并且有助于实现紧凑的电路布局。

    - 速度:AO4442的开关速度快,适用于需要快速开关的应用,如高频开关电源。

    通过这些详细的应用场景和参数特点说明,可以看出AO4442是一款多功能且性能优异的MOSFET,适用于多种电子系统中。这些特性也反映了它在现代电子设备中的广泛应用性和实用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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