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MOS管AO4406参数

PD最大耗散功率:3WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:14MΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.8~1.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:5SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:10A

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    AO4406是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效电源管理的各种电子设备中。

    一、应用场景

    1. 电源管理系统:AO4406广泛应用于电源管理系统中,用于开关和电源控制。它帮助设备在省电模式下保持高效的电源管理,广泛应用于消费电子和智能家居产品。

    2. 电池保护电路:在便携式设备中,AO4406用于电池保护电路,通过精确的电流控制来保护电池,防止过度放电和过度充电,延长设备的电池寿命。

    3. 电机驱动控制:AO4406用作小型电气设备和电机控制系统中的开关元件,有助于稳定电机运行,同时减少控制损耗并提高整体系统效率。

    4. 反向保护电路:AO4406通过防止意外的反向电流流动和元件损坏,在一些设备的反向保护电路中发挥着重要作用,从而提高设备的稳定性和安全性。

    5. 负载开关:在智能终端和微控制器系统等应用中,AO4406充当负载开关,允许设备在不同功耗模式之间平滑切换,有效降低待机功耗。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:AO4406具有低导通电阻,可以显著降低负载电流通过损耗,提高整体电路效率,特别适合高效率的设计要求。

    - 大电流容量:AO4406最大持续漏电流为8A,可支持大电流需求应用场景,提高设备稳定性和负载适应性。

    - 更高的击穿电压:该器件的击穿电压为30V,适合各种高压应用环境,增加设计灵活性。

    - 开关速度快:开关速度快,适用于需要频繁开关的电路,减少开关过程中发生的热损失并延长设备的使用寿命。

    - 小型封装设计:AO4406具有小型封装,使其适合空间受限的PCB设计,并轻松集成到小型化电子产品中,提高设计紧凑性和灵活性。

    综上所述,AO4406出色的电源管理和高效率特性使其成为电源管理、负载切换和其他应用的重要选择。在现代电子设备中,AO4406的稳定性和高效率使其成为提高整个设备关键性能的重要选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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