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MOS管AO4403参数

PD最大耗散功率:3WID最大漏源电流:-6.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:46MΩVRDS(ON)ld通态电流:-6.1AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-0.7~-1.3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:7SGfs(min)VDS漏源电压:-5VGfs(min)lo通态电流:-5A

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    AO4403是一种低功率P通道MOSFET,广泛应用于移动设备、便携式电子产品以及高效电源管理系统中。该型号的MOSFET由于其优异的性能参数和适应不同应用场景的能力,成为电源管理和信号开关的首选。

    一、应用场景

    1.电源管理:AO4403常用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备的电源管理模块中。其能够有效调控电源,优化电池使用效率。

    2.负载开关:在需要断开或接通电源的系统中,AO4403可以作为负载开关使用,以控制电源线路的开合,确保设备的安全稳定运行。

    3.电池保护:在锂电池保护板中,AO4403用于防止电池过充和过放,从而延长电池寿命并防止意外。

    4.信号开关:在一些需要小电流控制的信号路径中,AO4403因其低导通电阻和快速开关能力而被广泛使用。

    5.便携式充电器:AO4403也常见于便携式充电器设计中,用于管理输入和输出电压,确保充电过程的高效和安全。

    二、参数特点

    - 导通电阻低:AO4403提供的低导通电阻减少了功耗和发热,增强了整个系统的能效。

    - 高压耐受:该型号能够承受较高的工作电压,适用于多种高压应用场景,增加了使用的灵活性。

    - 小封装:AO4403通常采用SOP-8封装,占用空间小,适合于对空间有限制的应用中。

    - 快速开关速度:快速的开关特性使得AO4403在需要快速响应的电路中表现出色。

    - 热稳定性好:即便在较高温度下,AO4403也能保持稳定性能,适用于热环境下的应用。

    总的来说,AO4403因其高性能和多样的应用场景,成为了电源管理和信号控制领域的常用元件。其参数特点使其在设计中更为灵活,能满足各类电子设备的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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