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MOS管AO4310参数

PD最大耗散功率:3.6WID最大漏源电流:27AV(BR)DSS漏源击穿电压:36VRDS(ON)Ω内阻:3.1MΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:151SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:20A

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    AO4310是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。其特点和应用场景如下所述:

    一、应用场景

    1. 电源管理:AO4310由于其高效的电源转换性能,常用于便携式设备如智能手机、平板电脑及笔记本电脑的电源管理系统中。其能够提供稳定的电源输出,增强设备的电池寿命。

    2. 开关电源:在开关电源设计中,AO4310能够提供高效的电压调节功能,使其在电脑硬件、服务器和网络设备中得到广泛应用。

    3. 电机驱动:由于AO4310的高电流承受能力,它也常被用于电机控制应用中,如无刷直流电机的驱动。

    4. 充电器应用:适用于各类充电器设计,特别是在需要高效率和小体积的场合,如电动工具和电动汽车的充电设备。

    5. LED照明:AO4310的高效率和高响应速度使其在LED照明领域中也非常合适,特别是在需要PWM调光的应用中。

    二、参数特点

    1. 高电流能力:AO4310提供的持续漏极电流高达8.5A,脉冲电流可达34A,非常适合高负载应用。

    2. 低导通电阻:该型号具有很低的导通电阻,仅为10.5mΩ,意味着在高电流工作时能够保持较低的功耗和发热量。

    3. 封装形式:采用小体积、高效散热的8引脚SOIC封装,便于在紧凑的电路设计中使用。

    4. 耐压能力:AO4310的漏极-源极击穿电压高达30V,适合多种电压等级的应用场合。

    5. 适用于高频开关:快速的开关特性使得AO4310在高频开关电源应用中表现出色。

    总的来说,AO4310显示出其广泛的适用性和卓越的电气性能,是一款多用途且可靠的MOSFET选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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