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MOS管AO3419参数

PD最大耗散功率:1WID最大漏源电流:-3.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-20VRDS(ON)Ω内阻:85MΩVRDS(ON)ld通态电流:-.35AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-0.5~-1.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:8.6SGfs(min)VDS漏源电压:-5VGfs(min)lo通态电流:-3.5A

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    AO3419是一种N沟道场效应管(N-channel MOSFET),常用于各种电子设备和电路中,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:AO3419常用于电源管理电路中,例如电源开关、电池充放电管理等。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,AO3419可用作电机驱动器,控制电机的启停和转速。

    3. LED驱动:用于LED照明系统中,AO3419可作为LED的驱动器,控制LED的亮度和开关。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,AO3419可用作开关管,控制电能的转换和输出。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(ON)):AO3419具有低的导通电阻,通常在工作条件下能够提供较小的导通损耗,从而提高效率。

    2. 低开启电压(VGS(th)):AO3419的门极阈值电压较低,使其能够在较低的控制电压下工作,降低了功耗。

    3. 高耐压能力:AO3419能够承受较高的漏极-源极电压(VDS),适用于各种高压应用场景。

    4. 快速开关速度:AO3419具有快速的开关特性,响应速度快,可实现高频开关控制。

    5. 小型封装:AO3419通常采用小型封装,占用空间小,适用于紧凑的电路设计。

    在各种电子设备和电路中,AO3419的应用广泛,其稳定可靠的性能和多种参数特点使其成为工程师们常用的元件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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