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MOS管AO3416参数

PD最大耗散功率:1.4WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:22MΩVRDS(ON)ld通态电流:6.52AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:0.4~1.1VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:50SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:6.5A

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    AO3416是一款双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电子电路中的开关和放大器。

    一、应用场景

    1. 电源管理模块:AO3416广泛应用于各种电子设备的电源管理,特别适用于电池供电设备的负载开关和保护电路。电源输入电压控制和终止时的导通电阻。此功能特别适合节省电池能量和延长电池寿命,适用于移动设备、平板电脑和其他需要更长电池寿命的应用。

    2. 负载开关和电机驱动:AO3416由于其低栅极阈值电压,可以轻松驱动中低功率负载。该功能适用于发动机启动和停止控制等应用。它具有光耦合开关和继电器驱动功能,适用于消费电子、汽车电子等场景。

    3. 逻辑电平信号转换:AO3416在低电压下具有优异的线路性能,适合不同逻辑电平的电路之间的信号转换,例如:在不同电源电压下工作的电路,AO3416 充当信号桥,提供稳定的逻辑电平切换。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:AO3416的典型导通状态电阻值为0.05Ω(VGS=4.5V 时),因此电流流过时功率损耗很小。这一特性使其非常适合用于需要高功率的低功率电路,特别是移动设备和高频电源应用。

    - 低栅极阈值电压:AO3416的栅极阈值电压通常为1V至3V,并且可以在较低的栅极电压下工作。这对于与低电压电源上的低电压逻辑电平兼容的电路设计非常有益。该系统减少了对额外驱动电路的依赖。

    - 快速开关速度:AO3416的快速开关响应时间通常使其非常适合需要精确控制的高频或脉冲信号电路,提高整体电路响应速度和效率。

    - ESD抗扰度改进:AO3416具有较强的防静电性能,适合在工业环境和有静电危害的区域使用。这减少了设计过程中对额外保护组件的依赖,从而节省了PCB空间和成本。

    总的来说,AO3416具有低导通电阻、快速开关、低栅极阈值和出色的ESD抗扰度,使其适合各种便携式设备、电源管理和逻辑电平转换应用,尤其是在低电压环境下的高品质MOSFET广泛应用于现代低功率电路。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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