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MOS管AO3407参数

PD最大耗散功率:1.4WID最大漏源电流:-4.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:52MΩVRDS(ON)ld通态电流:-4.1AVRDS(ON)栅极电压:-5.5VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:5.5SGfs(min)VDS漏源电压:-5VGfs(min)lo通态电流:-4A

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    AO3407是一款P沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电路、电池保护电路和各种电子开关应用。其参数特性和应用场景使该元件成为低压直流控制电路非常有用的元件。

    一、应用场景

    1.电源管理电路:AO3407可作为直流电源管理开关元件,特别适用于需要低导通电阻、低压降的电路。该应用使用MOSFET来控制电源的开启和关闭,确保电路在各种电源条件下正常工作,包括手机、平板电脑等便携式设备的电池管理模块。

    2.负载开关电路:AO3407可用作负载开关。由于P槽的通道特性,可以用相对较低的功耗完成通断操作控制电压,非常适合用于需要有效控制大电流的电路中。例如,使用AO3407来切换电源并有效管理配电。

    3.DC-DC转换器:在DC-DC转换器电路中,AO3407可用作同步整流器,以减少能量损耗。低导通电阻特性显著提高了转换效率,尤其是在高频下。这在操作降压或升压转换电路时非常重要。

    4.电池保护电路:AO3407广泛应用于锂离子电池过流保护和过充保护,通过控制AO3407的栅极快速断开电源,保护电池安全。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:AO3407的典型导通电阻在Vgs=-4.5V时约为60毫欧,较低的导通电阻减少能量损耗并提高整体效率。

    - 栅极驱动电压:AO3407可以在较低的栅极驱动电压(通常为-1.8V至-4.5V)下运行,以实现有效开关。

    - 最大漏电流:AO3407的最大漏电流为-4.2A(Vgs=-4.5V条件下),适合电流较大的应用如电机驱动器和负载开关等。

    - 漏源电压:最大漏源电压为-30V,AO3407可用于普通低压网络,特别适用于12V或24V直流网络。

    - 封装格式:AO3407采用SOT-23封装,适合紧凑型PCB设计,特别适用于尺寸和重量要求严格的便携式设备。

    总的来说,AO3407由于其低导通电阻、紧凑封装、高漏极电流等优点,广泛应用于低压开关电源管理、负载开关和电池保护电路等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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