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MOS管2SJ210参数

PD最大耗散功率:200WID最大漏源电流:-200AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:15MΩVRDS(ON)ld通态电流:-10AVRDS(ON)栅极电压:-4VVGS(th)V开启电压:-1.4~-2.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:20SGfs(min)VDS漏源电压:-5VGfs(min)lo通态电流:-10A

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    2SJ210是一款P沟道MOSFET,其主要应用场景涵盖了多种电子设备和电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. DC-DC转换器:2SJ210能够提供高效的电能转换和低损耗的电流控制,使其成为便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的理想选择。

    2. 电源适配器:在电源适配器中,2SJ210因其优异的开关性能和低导通电阻,被广泛应用于提高电源适配器的能效和稳定性。

    3. 汽车电子:在汽车照明系统和电子控制单元(ECU)中,2SJ210可以提供稳定可靠的电流控制,确保系统的高效运行和安全性能。

    4. 太阳能逆变器和电动工具:2SJ210在这些设备中也展现了其优越的性能,帮助这些设备实现更高的能效和更长的使用寿命。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):2SJ210的漏源电压为-60V,能够在高压环境下稳定运行。

    - 导通电阻(RDS(on)):2SJ210的导通电阻非常低,典型值为0.22Ω,保证了低损耗和高效能。

    - 漏极电流(ID):2SJ210的漏极电流最大可达-5A,能够处理较大的电流负载,适用于需要大功率控制的应用。

    - 栅源电压(VGS):2SJ210的栅源电压范围为±20V,使得其在各种驱动电路中都能灵活应用。

    - 快速的开关速度:2SJ210的典型开关时间在纳秒级别,极大提高了电路的响应速度和工作效率。

    - 热性能:2SJ210的结电容和输出电容分别为约300pF和75pF,有助于减少开关损耗和提高系统的整体效率,其热阻低至62.5°C/W,确保了在高功率工作条件下的良好散热性能。

    综上所述,2SJ210凭借其优秀的电气性能和广泛的应用场景,成为了各类电源管理和电子控制系统中的关键元件。在未来的电子产品设计中,2SJ210将继续发挥其重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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