简介
现代电子系统需要强大的保护措施。在此背景下,通过MOSFET实现的理想二极管,加上额外的背靠背MOSFET和精密的控制电路,能有效提供源选择、限流和浪涌限制等增强控制功能。这些功能传统上分布在多个控制器中,使得实现完全的系统保护既复杂又繁琐。本篇文章将探讨这种一体化解决方案的主要电路规格,展示其在实际应用中的效果,并介绍一种新型的集成理想二极管解决方案,这一方案还整合了其他功能以实现全面的系统保护。
一、理想二极管基础
理想二极管是一种利用低导通电阻的功率开关(通常是MOSFET)来模拟单向电流行为的装置,但其几乎不产生传统二极管的压降损失。当电流从一个方向流过时,控制电路会激活MOSFET,以减小正向压降;而当需要阻止电流反向流动时,控制电路会迅速关闭MOSFET。这样的设计不仅减少了功率损耗,还有助于提高系统的整体效率和鲁棒性。
二、源选择和整体系统保护
在传统的电源设计中,源选择和系统保护功能常常需要多个组件来实现。然而,通过在单个集成电路中实现这些功能,可以显著简化设计,减少所需的物理空间,降低成本。集成理想二极管解决方案不仅可以作为电源的ORing器件,还可以提供过压、欠压、热插拔和eFuse保护,有效防范系统故障,增强系统的整体鲁棒性。
三、技术发展和优势
随着MOSFET技术的发展,低RDS(ON)的MOSFET已经变得可用,使得理想二极管的性能进一步提升。如果在设计中加入背靠背MOSFET,虽然会略微增加压降,但可以带来更多的控制功能,如源选择、限流和浪涌限制等。这种集成化的方法不仅提高了系统的功能性,还在提高系统稳定性和可靠性方面发挥了重要作用。
四、结语
随着电子系统向更高的复杂性和功能需求发展,传统的分散式保护方案已经不再适用。通过集成理想二极管、源选择器和eFuse,可以在保持系统性能的同时,简化设计并减少系统故障。这种一体化的保护方案是现代高要求电子系统的理想选择,能有效提升系统的稳定性和安全性。
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