TK4P60DA场效应管参数 TK4P60DA参数资料规格书〔壹芯微〕

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漏源电压(VDSS)：600V

栅源电压(VGSS)：±30V

雪崩电流(IAR)：3.5A

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：3.5A

漏极电流-脉冲(IDP)：14A

单脉冲雪崩能量(EAS)：132mJ

重复雪崩能量(EAR)：8mJ

功耗(TC=25°C)(PD)：80W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~150°С

热阻-结到外壳(RθJC)：1.56°C/W

热阻-结到环境(RθJA)：125°C/W

〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商，主营各类贴片与直插，二极管、三极管、MOS(场效应管)、可控硅、三端稳压管、整流桥，IC(集成电路)；参数达标，质量保障，工厂直销(价省20%)，免费送样，选型替代，技术支持，专业售后，如需了解产品详情或最新报价，欢迎咨询官网在线客服。

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