SSF5N50D场效应管,SSF5N50D参数中文资料 - 壹芯微
型号:SSF5N50D 极性:N沟道;电压:500V 电流:5A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销
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SSF5N50D的概述:
SSF5N50D它利用最新的处理技术来实现高细胞密度并减少高重复雪崩等级。 这些功能相结合,使这种设计非常用于电源开关应用和各种其他应用的设备。
SSF5N50D的特性:
先进的MOSFET工艺技术
专为PWM、负载开关和
通用应用
超低导通电阻和低栅极电荷
快速切换和反向体恢复
150℃工作温度
SSF5N50D的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):
ID@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,VGS@10V①:5A
ID@TC=100°C,ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,VGS@10V①:3.1A
IDM,PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流②:17A
PD@TC=25°C,PowerDissipation功耗③:104W
PD@TC=25°C,LinearDeratingFactor线性降额系数:0.83W/°C
VDS,Drain-SourceVoltage漏源电压:500V
VGS,Gate-to-SourceVoltage栅源电压:±30V
EAS,SinglePulseAvalancheEnergy单脉冲雪崩能量@L=60mH:307mJ
IAS,AvalancheCurrent雪崩电流@L=60mH:3.2A
TJ,TSTG,OperatingJunctionandStorageTemperatureRange工作结点和存储温度范围:-55to+150°C
壹芯微SSF5N50D规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。
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