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SSF5N50D场效应管,SSF5N50D参数中文资料 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-30 浏览:-

SSF5N50D场效应管,SSF5N50D参数中文资料 - 壹芯微

SSF5N50D

型号:SSF5N50D 极性:N沟道;电压:500V 电流:5A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

SSF5N50D参数中文资料,SSF5N50D封装管脚引脚图,SSF5N50D规格书:查看下载

SSF5N50D

SSF5N50D的概述:

SSF5N50D它利用最新的处理技术来实现高细胞密度并减少高重复雪崩等级。 这些功能相结合,使这种设计非常用于电源开关应用和各种其他应用的设备。

SSF5N50D的特性:

先进的MOSFET工艺技术

专为PWM、负载开关和

通用应用

超低导通电阻和低栅极电荷

快速切换和反向体恢复

150℃工作温度

SSF5N50D

SSF5N50D绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

ID@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,VGS@10V①:5A

ID@TC=100°C,ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,VGS@10V①:3.1A

IDM,PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流②:17A

PD@TC=25°C,PowerDissipation功耗③:104W

PD@TC=25°C,LinearDeratingFactor线性降额系数:0.83W/°C

VDS,Drain-SourceVoltage漏源电压:500V

VGS,Gate-to-SourceVoltage栅源电压:±30V

EAS,SinglePulseAvalancheEnergy单脉冲雪崩能量@L=60mH:307mJ

IAS,AvalancheCurrent雪崩电流@L=60mH:3.2A

TJ,TSTG,OperatingJunctionandStorageTemperatureRange工作结点和存储温度范围:-55to+150°C

SSF5N50D

壹芯微SSF5N50D规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。


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