在现代电力电子系统中，整流二极管作为基本而关键的器件，广泛应用于各种电源转换、电能传输与能量回收场景中。然而，单颗二极管的电流承载能力和反向耐压指标往往难以完全覆盖高功率或高电压应用的需求。为了克服这一限制，工程师们通常采用并联和串联方式对整流二极管进行组合，从而提升整体的电气性能与系统可靠性。

一、MDD整流二极管并联应用：提升电流承载能力

在高电流场合，单颗二极管往往无法承载全部负载电流。例如，MDD型号中的某些二极管最大连续正向电流仅为15A，而若实际应用需求达到30A，显然需要两颗甚至更多颗并联。

并联的核心目标是分摊电流，但这在实际操作中并非简单地“接在一起”就能实现。因为即使选用同型号的器件，其正向导通压降（VF）也存在细微差异，这种差异会导致部分器件先导通、先承载更大电流，进而过热损坏。

为了改善并联均流效果，可采用以下策略：

1. 精选器件批次：尽可能选择同一批次、同一生产线的MDD二极管，以减小VF偏差；

2. 设置均流电阻：在每个二极管支路串联一个小阻值电阻（如0.1Ω至0.33Ω），以人为引入压降，实现电流分配的自适应调整；

3. 使用肖特基结构产品：MDD部分型号采用肖特基结构，其导通压降一致性更优，尤其适合并联应用；

4. 动态均流方案：对于高端设计，还可通过并联MOSFET进行主动电流管理，尽管成本较高，但精度也显著提升。

真实应用示例：某通信电源模块中，设计目标为40A输出电流，工程师选用4颗MDD30A系列二极管并联，每支路串联0.2Ω电阻，长期运行稳定，未出现热失配现象。

二、MDD整流二极管串联应用：提升耐压性能

高电压应用中，如变频器直流母线或工业电解设备中，单颗二极管所能承受的反向击穿电压可能远不足以应对实际工作电压。以MDD某型号为例，其额定耐压为600V，而若系统工作电压达到1200V，便需采用两颗串联方案。

然而，串联并不等于电压自然平均分配。在反向状态下，每颗器件因其漏电流、热漂移等因素，可能导致电压集中于某一颗器件上，造成击穿风险。

解决方案主要包括：

1. 并联均压电阻：通常在每颗二极管两端并联100kΩ至1MΩ电阻，用于分担漏电流并实现静态电压均分；

2. 并联电容器：在动态高频环境中，可增设10nF至100nF的电容，提高瞬态电压响应速度，特别适用于开关电源中；

3. 同型号严格筛选：选择反向击穿电压一致性高的产品，减少电压偏差；

4. 温度耦合布线：将各二极管布置在热耦合结构中，避免温升差异进一步放大电压失衡。

实战案例：在一台工业等离子发生器中，工程团队采用3颗MDD1000V耐压二极管串联，实现3000V直流母线整流，配合470kΩ并联电阻与33nF电容，实现稳定运行超两年，无一例失效报告。

三、并联与串联结合使用的注意事项

在某些高功率场合，工程师可能同时采用串并联结构，例如12颗MDD整流二极管组成的6串2并布局。这种复合配置既要考虑均流也要保证均压，设计难度显著增加。

设计建议如下：

- 串联前先并联：可有效提升均流后再考虑均压问题；

- 电阻、电容混合并联：在均压电阻的基础上适当增加均压电容，适应更复杂的电磁环境；

- 热管理策略同步设计：确保每组二极管温升一致，防止电流或电压转移；

- 建议进行热仿真分析：利用软件仿真检测潜在热失配区域，提前预判失效风险。

总结

MDD系列整流二极管具备优良的电气性能与可靠性，但在面向大电流或高电压应用时，单颗器件的能力仍存在极限。通过科学地串联与并联配置，配合电阻、电容、热管理等多种手段，可以显著提升其在整流电路中的综合表现。