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IRLR3636 TO-252 MOS管60V 99A N沟道 足参数

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-11 浏览:-

IRLR3636 TO-252 MOS管60V 99A N沟道 足参数

IRLR3636 TO-252 MOS管60V 99A N沟道 足参数

IRLR3636(N沟道增强型场效应晶体管);IRLR3636场效应管参数;IRLR3636场效应管封装引脚图;IRLR3636场效应管中文资料规格书(PDF);  

电流(ID):99A,电压(VDSS):60V,封装形式:TO252 

IRLR3636

产品概要

VDSS 60V

RDS(on) 典型值。 5.4m

最大限度。 6.8

ID (Silicon Limited) 99A

绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)

ID@TC=25°C 持续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited):99①A

ID@TC=100°C 持续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited):70①A

IDM 脉冲漏极电流②:396W

PD @TC=25°C 最大功耗:143W

线性降额系数:0.95W

VGS 栅源电压:±16V

dv/dt 二极管峰值恢复④:22V/ns

TJ 工作结点和 STG 存储温度范围:-55 至 +175°C

焊接温度,10秒:300(1.6mm drom case)°C

IRLR3636参数

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