IRLR3636 TO-252 MOS管60V 99A N沟道 足参数
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电流(ID):99A,电压(VDSS):60V,封装形式:TO252
产品概要
VDSS 60V
RDS(on) 典型值。 5.4m
最大限度。 6.8
ID (Silicon Limited) 99A
绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)
ID@TC=25°C 持续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited):99①A
ID@TC=100°C 持续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited):70①A
IDM 脉冲漏极电流②:396W
PD @TC=25°C 最大功耗:143W
线性降额系数:0.95W
VGS 栅源电压:±16V
dv/dt 二极管峰值恢复④:22V/ns
TJ 工作结点和 STG 存储温度范围:-55 至 +175°C
焊接温度,10秒:300(1.6mm drom case)°C
壹芯微科技(Yixin)国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插,肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等,对每一批产品质量严控把关;壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂,有着丰富的研发生产经验,为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多,欢迎咨询官网在线客服或联系以下
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