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FDD8444_F085场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-09 浏览:-

FDD8444_F085场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微

FDD8444_F085场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微

FDD8444_F085(N沟道增强型场效应晶体管);FDD8444_F085场效应管参数;FDD8444_F085场效应管封装引脚图;FDD8444_F085场效应管中文资料规格书(PDF);

电流(ID):145A,电压(VDSS):40V,封装形式:TO252

FDD8444_F085

产品概要

典型RDS(on)=4mW,VGS=10V,ID=50A

Typ Qg(10)=89nC,VGS=10V,ID=50A

低米勒电荷

低Qrr体二极管

UIS能力(单脉冲/重复脉冲)

符合RoHS

符合AECQ101

绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)

VDSS漏源电压:40V

VGS栅源电压:±20V

ID漏极电流连续 (VGS=10V):50A

ID脉冲 图:4A

EAS单脉冲雪崩能量(注 1:535mJ

PD功耗:153W

25°C以上PD降额:1.02W/°C

TJ、TSTG操作和储存温度:-55至+175 °C

RqJC结到外壳的热阻:0.98 °C/W

RqJA热阻结到环境,1in2铜焊盘面积:52 °C/W

FDD8444_F085参数

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