来源：壹芯微 发布日期
2021-11-30 浏览：-FDD5N50NZF场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家
FDD5N50NZF参数及代换,FDD5N50NZF封装引脚图,FDD5N50NZF规格书(数据手册)
(图(如上)：FDD5N50NZF,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)
壹芯微供应FDD5N50NZF系列场效应管，可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 500 | V |
| 栅极-源极电压 | VGSS | ±25 | V |
| 雪崩电流 | IAR | 3.3 | A |
| 栅极-源极电压(TJ=25°C) | ID | 3.7 | A |
| 栅极-源极电压(TJ=100°C) | ID | 2.2 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 14 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 165 | mJ |
| 重复雪崩能量 | EAR | 6.25 | mJ |
| 二极管恢复峰值 | dv/dt | 20 | V/ns |
| 功耗,(TC=25°C) | PD | 62.5 | W |
| 功耗,(25°C以上降额) | PD | 0.5 | W |
| 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | °С |
| 贮存温度范围 | TSTG | -55~+150 | °С |
| 焊接的最高引线温度 | TL | 300 | °С |
| 热阻-结到外壳 | RθJC | 2 | °C/W |
| 热阻-结到环境 | RθJA | 62.5 | °C/W |
(参数表(如上)：绝对最大额定参数与电气特性等)
FDD5N50NZF.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)
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