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CJD01N80场效应管,CJD01N80参数中文资料 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-26 浏览:-

CJD01N80场效应管,CJD01N80参数中文资料 - 壹芯微

CJD01N80

型号:CJD01N80 极性:N沟道;电压:800V 电流:1A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

CJD01N80参数中文资料,CJD01N80封装管脚引脚图,CJD01N80规格书:查看下载

CJD01N80

CJD01N80的概述:

CJD01N80是N沟道模式功率 MOSFET,使用为客户提供平面条纹的先进技术。 这个技术专门允许最小的通态电阻和优越的开关性能。 它还可以承受高能量脉冲在雪崩和换向模式。 CJD01N80是通用的应用于高效开关电源。

CJD01N80的特性:

优秀的包装

高切换速度

100%雪崩测试

CJD01N80的应用:

电源开关应用

DC/DC 转换器

CJD01N80

CJD01N80的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):


Drain-SourceVoltage漏源电压,VDS:800 V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGS:±30 V

ContinuousDrainCurrent连续漏极电流,ID:1 A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流,IDM:4 A

SinglePulsedAvalancheEnerg单脉冲雪崩能量(注1),EAS:90 mJ

ThermalResistanceFromJunctionToAmbient从结到环境的热阻,RθJA:100 ℃/W

JunctionTemperature结温,TJ:150 °C

StorageTemperatureRange储存温度范围,TSTG:-55~+150°C

MaximumLeadTemperatureForSolderingPurposes用于焊接目的的最高引线温度,

1/8"FromCaseFor5Seconds距离外壳1/8"5秒,TL:260°C

CJD01N80.

壹芯微CJD01N80规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。


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