CEU6042 TO252场效应MOS管参数规格书 选型替换 - 壹芯微

CEU6042场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：90A；封装(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号

CEU6042特性

60V，90A，Ros(on)=5m2@Ves=10V。

用于极低Ros(oN)的超高密度电池设计

高功率和电流处理能力。

无铅电镀；符合RoHS。

TO-251和TO-252封装。

CEU6042绝对最大额定参数

漏源电压 V_DS 60 V

栅源电压 V_GS ±20 V

漏极电流-连续 I_D 90 A

漏极电流脉冲^a I_DM 360 A

最大功耗 @ T_C=25°C P_D 74 W

-25°C 以上降额 P_D 0.6 W/°C

单脉冲雪崩能量^d E_AS 400 mJ

单脉冲雪崩电流d I_AS 40 A

操作和储存温度范围 T_J,T_STG -55 至 150 °C

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