AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H-HF参数规格书下载
AP05N50H参数及代换,AP05N50H封装引脚图,AP05N50H规格书(数据手册)
(图(如上):AP05N50H,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)
壹芯微供应AP05N50H系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
漏极-源极电压 | VDSS | 500 | V |
栅极-源极电压 | VGSS | ±20 | V |
雪崩电流 | IAR | 3 | A |
栅极-源极电压(TJ=25°C) | ID | 5.0 | A |
栅极-源极电压(TJ=100°C) | ID | 2.8 | A |
脉冲漏极电流 | IDM | 18 | A |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 45 | mJ |
重复雪崩能量 | EAR | - | mJ |
二极管恢复峰值 | dv/dt | - | V/ns |
功耗,(TC=25°C) | PD | 73.5 | W |
功耗,(TA=25°C) | PD | 2 | W |
工作结温范围 | TJ | -55~150 | °С |
贮存温度范围 | TSTG | -55~150 | °С |
焊接的最高引线温度 | TL | 300 | °С |
热阻-结到外壳 | Rthj-c | 1.7 | °C/W |
热阻-结到环境 | Rthj-a | 62.5 | °C/W |
(参数表(如上):绝对最大额定参数与电气特性等)
AP05N50H.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)
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