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AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H参数规格书下载

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-12-01 浏览:-

AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H-HF参数规格书下载

AP05N50H参数及代换,AP05N50H封装引脚图,AP05N50H规格书(数据手册)

AP05N50H(TO-252)

(图(如上):AP05N50H,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)

壹芯微供应AP05N50H系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。

AP05N50H场效应管主要参数如下:

参数符号单位
漏极-源极电压VDSS500V
栅极-源极电压VGSS±20V
雪崩电流IAR3A
栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5.0A
栅极-源极电压(TJ=100°C)ID2.8A
脉冲漏极电流IDM18A
单脉冲雪崩能量EAS45mJ
重复雪崩能量EAR-mJ
二极管恢复峰值dv/dt-V/ns
功耗,(TC=25°C)PD73.5W
功耗,(TA=25°C)PD2W
工作结温范围TJ-55~150 °С
贮存温度范围TSTG-55~150 °С
焊接的最高引线温度TL300 °С
热阻-结到外壳Rthj-c1.7°C/W
热阻-结到环境Rthj-a62.5°C/W

(参数表(如上):绝对最大额定参数与电气特性等)

AP05N50H.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)

AP05N50规格书

AP05N50规格书

AP05N50规格书

AP05N50规格书

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