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5N70Z - Power MOSFET(功率MOS场效应管)

5A,700V LOGIC N-CHANNEL MOSFET

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5N70Z的概述：

5N70Z是一款N沟道增强型MOSFET，它采用先进技术为客户提供最小的导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。 它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

5N70Z适用于高效开关DC/DC转换器、电机控制和开关模式电源。

5N70Z的特性：

*RDS(ON)<2.5Ω @ VGS=10V

*低栅极电荷(Typ=4.8nC)*低CRSS(Typ=6.0pF)

*高切换速度

*ESD能力

5N70Z的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：700V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±20V

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),I_AR：5A

DrainCurrentContinuous漏极电流持续,I_D：5A

DrainCurrentPulsed漏极电流脉冲(注2),I_DM：20A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),E_AS：100mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重复(注2),E_AR：10mJ

PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F2,PD：36W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD：28W

JunctionTemperature结温,T_J：+150°C

OperationTemperature工作温度,T_OPR：-55~+150°C

StorageTemperature储存温度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3.L=6.2mH，IAS=5A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C。

4.ISD≤4.5A，di/dt≤300A/µs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

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