5N65KL-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

5N65KL-TN3-R场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：650V；电流(ID)：5A；封装(Pageke)：TO-252；

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漏源电压 V_DSS 650 V

栅源电压 V_GSS ±30 V

雪崩电流(注 2) IAR 5 A

持续漏极电流 I_D 5 A

脉冲漏极电流(注 2) I_DM 20 A

雪崩能量单脉冲(注 3) E_AS 160 mJ

雪崩能量重复(注 2) E_AR 10 mJ

峰值二极管恢复 dv/dt（注 4）dv/dt 4.5 V/ns

功耗 TO-220 P_D 108 W

功耗 TO-220F/TO-220F P_D 1 W

功耗 TO-220F3 P_D 36 W

功耗 TO-220F2 P_D 38 W

功耗 TO-251/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4/TO-252/TO-252D P_D 54 W

结温 T_J +150 °C

工作温度 T_OPR -55 ~ +150 °C

储存温度 T_STG -55 ~ +150 °C

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 脉宽受 T_J(MAX) 限制

3. L=12.8mH, IAS=5A, V_DD=50V, R_G=25Ω, 起始T_J=25°C

4. I_SD≤5A，di/dt≤200A/μs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25°C

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