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20N03 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-07-13 浏览:-

20N03 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

20N03(20A,30V N沟道场效应晶体管)

品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询


20N03场效应管主要参数
参数\型号20N03

极性N

ID(A)20

VDSS(V)30

RDS(ON):Max(Ω)0.02

RDS(ON):VGS(Ω)10

VGS(th):(V)1~3

Gfs(min):(S)25

Gfs(min):Vgs(V)10

Gfs(min):Io(A)10

封装TO-252


概述:

20N03/TO-252采用先进的沟槽技术和设计以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,它可用于多种应用。


特性:

· ID = 120A

· VDS=30V

· RDS(ON)=3.8mΩ @ VGS=10V

· 低栅极电荷(典型 54nC)

· 快速切换

· 100% 雪崩测试

· 高功率和电流处理能力

· 高切换速度


20N03 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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