来源：壹芯微 发布日期
2021-07-12 浏览：-12N65 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
12N65（12A,650V N沟道场效应功率管）
品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询
| 参数\型号 | 12N65 | ||
| 极性 | N | ||
| ID(A) | 12 | ||
| VDSS(V) | 650 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.85 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
| VGS(th):(V) | 2~4 | ||
| Gfs(min):(S) | 7.8 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | 40 | ||
| Gfs(min):Io(A) | 6.0 | ||
| 封装 | TO-220 |
概述：壹芯12N65是N沟道增强模式功率场使用壹芯生产的效应晶体管MOSFET专有的平面条纹和DMOS技术。这些器件适用于高效率开关模式电源供应。为了最大限度地减少通态电阻，提供卓越的开关性能和承受雪崩中的高能量脉冲和换向方式，先进的技术已经特别量身定做。
特性：RDS(ON) < 0.85Ω @ VGS = 10V，ID = 6.0A · 超低栅极电荷（典型值 42 nC） · 低反向传输电容（CRSS = 典型值 25 pF） · 快速切换能力 · 指定雪崩能量 · 改进的 dv/dt 能力，高耐用性
壹芯微——优质国产功率半导体品牌，主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等功率电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证，高质量，高标准，型号齐全，研发技术与芯片源自台湾，完美替代进口品牌，页面右侧可选择销售业务或工程师立即咨询
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