12N10场效应管参数_12N10(MOS管)参数代换_生产厂家

12N10场效应管参数及代换,12N10封装引脚图,12N10中文资料规格书PDF

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12N10场效应管参数如下：

极性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：100V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±20V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,TC+25°C,I_D：12A

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,TC+100°C,I_D：8.5A

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：73W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,P_D：30W

PowerDissipation功耗,SOP-8 ,P_D：5W

Junction Temperature结温,T_J：+150°C

StorageTemperature工作和储存温度,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微供应UT50N03系列型号如下（封装尾缀不同，主要参数一致）

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