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AO3400场效应管参数|AO3400(SOT23)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 AO3400 极性 NPN 漏源电压 30V 漏极电流 5.8A 封装 SOT-23
STM32F103R8T6TR中文资料PDF介绍与封装描述STM32F103R8T6TR包含以72MHz频率运行的高性能ARMCortex-M332位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达128KB的闪存和高达20KB的S...
TPS2373-4RGWR详细参数PDF与引脚图描述TPS2373-4RGWR包含实现IEEE802.3at或IEEE802.3bt(草案)(类型1-4)受电设备(PD)所需的所有功能。低内部开关电阻允许TPS2373-...
TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装描述TPS22901YFPR是一款小型低导通电阻(rON)负载开关，具有可控导通功能。该器件包含一个P沟道MOSFET，可在1.0至3.6V的输入电压范围内工作。该开关由...
2N60,2N60场效应管参数,引脚图,2N60规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：2N60描述：MOSFET,N-CH,600V,1.6A,TO220F详细描述：通孔,N通道,600V,1.6A（Tc）,28W（Tc）...
si2302,si2302场效应管参数,引脚图,si2302规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：si2302描述：MOSFET,N-CH,20V,3A,SOT-23详细描述：表面贴装型,N通道,20V,3A（Ta）1.2...
si2301,si2301场效应管参数,引脚图,si2301规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：si2301描述：MOSFET,P-CH,20V,2.8A,SOT-23详细描述：表面贴装型,P通道,20V,2.8A（Ta...
si2300,si2300场效应管参数,引脚图,si2300规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：si2300描述：MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23详细描述：表面贴装型,N通道,20V,4.5A（Tj）...
TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装 - 壹芯微描述TPS22901YFPR是一款小型低导通电阻(rON)负载开关，具有可控导通功能。该器件包含一个P沟道MOSFET，可在1.0至3.6V的输入电压范围内工...
TPS2061CDBVR中文资料PDF - 壹芯微描述TPS2061CDBVR配电开关适用于可能会遇到大电容负载和短路的应用，例如USB。当输出负载超过电流限制阈值时，TPS2061CDBVR通过在恒流模式下运行，将输出...
TPS2378DDAR中文资料PDF与引脚图及封装 - 壹芯微描述该8引脚集成电路包含实现IEEE802.3at2型受电设备(PD)所需的所有功能。0.5Ω的低内部开关电阻与PowerPAD™封装的增强散热相...
AO3415,AO3415场效应管参数,引脚图,AO3415规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：AO3415描述：MOSFET,P-CH,20V,4A,SOT23-3L详细描述：表面贴装型,P通道,20V,4A（Ta）,...
AO3402,AO3402场效应管参数,引脚图,AO3402规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：AO3402描述：MOSFET,N-CH,30V,4A,SOT23-3L详细描述：表面贴装型,N通道,30V,4A（Ta）,...
AO3401,AO3401场效应管参数,引脚图,AO3401规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：AO3401描述：MOSFET,P-CH,30V,4A,SOT23-3详细描述：表面贴装型P通道,30V,4A（Ta）,1....
AO3400,AO3400场效应管参数,引脚图,AO3400规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：AO3400描述：MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3详细描述：表面贴装型 N 通道 30 V 5.8A...
STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)STD3NK50Z场效应管封装TO...
TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文参数,TK3P50D封装引脚图,TK3P50D数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)TK3P50D场效应管封装TO-252特征开关稳压...
? 低栅极电荷Qg导致简单驱动要求 ? 改进的门限、雪崩和动态dV/dt坚固性 ? 充分表征电容和雪崩电压和电流 ? 指定有效成本 ? 材料分类：用于合规性定义 应用：开关电源(SMPS)，不间断电源供应，高速...
SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用...
FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。 封装形式为符合RoHS标准的TO-...
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