STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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STD3NK50Z场效应管封装TO-252,TO-251,TO-92,

特征

· 典型 RDS(on)=2.8Ω

· 极高的dv/dt能力

· ESD改进能力）

· 100%雪崩测试

· 新的高压基准

· 栅极电荷最小化

绝对最大额定值（TC=25°C，除非另有说明）

漏源电压(VDSS)：500V

栅源电压(VGSS)：±30V

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)

(TO-252/TO-251)：2.3A

(TO-92)：0.5A

漏极电流-脉冲(IDM)

(TO-252/TO-251)：9.2A

(TO-92)：2A

功耗(TC=25°C)(PD)

(TO-252/TO-251)：45W

(TO-92)：3W

二极管恢复峰值(dv/dt)：4.5V/ns

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~150°С

热阻-结到外壳(RθJC)

(TO-252/TO-251)：2.77°C/W

热阻-结到环境(RθJA)

(TO-252)：50(#)

(TO-251)：100

(TO-92)：-

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