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STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-12-28 浏览:-

STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)

STD3NK50Z,TO-252

STD3NK50Z场效应管封装TO-252,TO-251,TO-92,

封装形式与电路符号

特征

· 典型 RDS(on)=2.8Ω

· 极高的dv/dt能力

· ESD改进能力)

· 100%雪崩测试

· 新的高压基准

· 栅极电荷最小化

绝对最大额定值(TC=25°C,除非另有说明)

漏源电压(VDSS):500V

栅源电压(VGSS):±30V

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)

(TO-252/TO-251):2.3A

(TO-92):0.5A

漏极电流-脉冲(IDM)

(TO-252/TO-251):9.2A

(TO-92):2A

功耗(TC=25°C)(PD)

(TO-252/TO-251):45W

(TO-92):3W

二极管恢复峰值(dv/dt):4.5V/ns

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~150°С

热阻-结到外壳(RθJC)

(TO-252/TO-251):2.77°C/W

热阻-结到环境(RθJA)

(TO-252):50(#)

(TO-251):100

(TO-92):-

绝对最大额定值(TC=25°C,除非另有说明)

【3】配图.jpg

【4】配图.jpg

【5】配图.jpg

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