FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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FIR5N50LG场效应管封装TO-251,TO-252

一般说明

FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。 封装形式为符合RoHS标准的TO-251。

特征

· 快速切换

· 低导通电阻（Rdson≤1.5）

· 低栅极电荷（典型数据：12.6nC）

· 低反向传输电容（典型值：4pF） l100%单脉冲雪崩能量测试

绝对最大额定值（TC=25°C，除非另有说明）

漏源电压(VDSS)：500V

栅源电压(VGSS)：±30V

漏极电流-连续(ID)：5A

漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：3.1A

漏极电流-脉冲(IDM)：20A

单脉冲雪崩能量(EAS)：250mJ

二极管恢复峰值(dv/dt)：5.0V/ns

功耗(PD)：75W

功耗TC=25°C以上(PD)：0.60W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：150,-55~150°С

热阻-结到外壳(RθJC)：1.67°C/W

热阻-结到环境(RθJA)：100°C/W

焊接的最高引线温度(TL)：300°С

电气特性

源漏二极管特性

封装规格

〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商，主营各类贴片与直插，二极管、三极管、MOS(场效应管)、可控硅、三端稳压管、整流桥，IC(集成电路)；参数达标，质量保障，工厂直销(价省20%)，免费送样，选型替代，技术支持，专业售后，如需了解产品详情或最新报价，欢迎咨询官网在线客服。

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