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FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-12-25 浏览:-

FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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FIR5N50LG,TO-252

FIR5N50LG场效应管封装TO-251,TO-252

一般说明

FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术获得,可降低传导损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。 封装形式为符合RoHS标准的TO-251。

特征

· 快速切换

· 低导通电阻(Rdson≤1.5)

· 低栅极电荷(典型数据:12.6nC)

· 低反向传输电容(典型值:4pF) l100%单脉冲雪崩能量测试

封装形式与电路图符号

绝对最大额定值(TC=25°C,除非另有说明)

漏源电压(VDSS):500V

栅源电压(VGSS):±30V

漏极电流-连续(ID):5A

漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):3.1A

漏极电流-脉冲(IDM):20A

单脉冲雪崩能量(EAS):250mJ

二极管恢复峰值(dv/dt):5.0V/ns

功耗(PD):75W

功耗TC=25°C以上(PD):0.60W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):150,-55~150°С

热阻-结到外壳(RθJC):1.67°C/W

热阻-结到环境(RθJA):100°C/W

焊接的最高引线温度(TL):300°С

绝对最大额定值

电气特性

电气特性

源漏二极管特性

源漏二极管特性

封装规格

TO-251封装

TO-252封装

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