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282021-12 行业资讯

STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)STD3NK50Z场效应管封装TO...

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282021-12 行业资讯

TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文参数,TK3P50D封装引脚图,TK3P50D数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)TK3P50D场效应管封装TO-252特征开关稳压...

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252021-12 行业资讯

IRFR420A参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

? 低栅极电荷Qg导致简单驱动要求 ? 改进的门限、雪崩和动态dV/dt坚固性 ? 充分表征电容和雪崩电压和电流 ? 指定有效成本 ? 材料分类:用于合规性定义 应用:开关电源(SMPS),不间断电源供应,高速...

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252021-12 行业资讯

SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用...

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252021-12 行业资讯

FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术获得,可降低传导损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。 封装形式为符合RoHS标准的TO-...

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242021-12 行业资讯

HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

· 原创新设计 · 卓越的雪崩坚固技术 · 强大的栅极氧化技术 · 极低的固有电容 · 优良的开关特性 · 无与伦比的栅极电荷:13 nC(典型值) · 扩展安全操作区 · 降低 RDS(ON) ? 7\S...

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242021-12 行业资讯

AP02N40H-HF参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

AP02N40系列来自创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。 它为设计师提供具有极其高效的设备,可用于各种功率应用程序。TO-252封装广泛适用于商业工业表面贴装应用,适用于低电压应用如DC/DC...

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242021-12 行业资讯

IRFR320参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

第三代功率MOSFET提供了设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。DPAK设计用于使用蒸汽进行表面安装相位、红外或波峰焊接技术。 直的引线版本(IRFU、SiHFU系列)用于通孔安装应用。...

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222021-12 行业资讯

HMC358MS8GETR中文参数 规格书PDF 电路图

HMC358MS8GETR中文参数 规格书PDF 电路图描述HMC358MS8GETR为砷化镓InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMICVCO。HMC358MS8GETR集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器...

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222021-12 行业资讯

AD8542ARZ中文参数 引脚图 PDF规格书

AD8542ARZ中文参数 引脚图 PDF规格书描述AD8542ARZ是一款CMOS双轨到轨输入/输出放大器,具有单电源、极低的电源电流和1MHz带宽。该通用放大器保证可以在2.7V单电源和5V电源下工作。这些部件以每个...

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222021-12 行业资讯

HMC8038LP4CE规格参数 数据手册PDF〔壹芯微〕

HMC8038LP4CE规格参数 数据手册PDF〔壹芯微〕描述HMC8038LP4CE是一种高隔离、无反射、0.1GHz至6.0GHz硅单刀双掷(SPDT)开关,采用无铅表面安装封装。该交换机是蜂窝基础设施应用的理想选择...

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212021-12 行业资讯

SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕

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212021-12 行业资讯

SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕

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212021-12 行业资讯

FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕

FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕FDD5N50中文参数,FDD5N50封装引脚图,FDD5N50数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)FDD5N50场效应管主要参数(最大额...

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202021-12 行业资讯

CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕

CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕CJU04N65参数资料,选型替代,CJU04N65封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):650V栅源电压(VGSS):&plu...

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202021-12 行业资讯

JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕

JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕JCS5N50RT参数资料,选型替代,JCS5N50RT封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):...

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202021-12 行业资讯

TK5P50D场效应管参数 TK5P50D参数资料规格书〔壹芯微〕

TK5P50D场效应管参数 TK5P50D参数资料规格书〔壹芯微〕TK5P50D参数资料,选型替代,TK5P50D封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±...

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162021-12 行业资讯

AOD3N50场效应管参数 AOD3N50参数资料规格书〔壹芯微〕

AOD3N50场效应管参数 AOD3N50参数资料规格书〔壹芯微〕AOD3N50参数资料,选型替代,AOD3N50封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±...

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162021-12 行业资讯

RJK5030DPD场效应管参数 RJK5030DPD参数资料规格书〔壹芯微〕

RJK5030DPD场效应管参数 RJK5030DPD参数资料规格书〔壹芯微〕RJK5030DPD参数资料,选型替代,RJK5030DPD封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压VDSS:500V栅源电压VGSS:...

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162021-12 行业资讯

TSM6N50CP场效应管参数 TSM6N50CP参数资料规格书〔壹芯微〕

TSM6N50CP场效应管参数 TSM6N50CP参数资料规格书〔壹芯微〕TSM6N50CP参数资料,选型替代,TSM6N50CP封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):...

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