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DB306S贴片整流桥3A 800V的引脚图与规格书，DB306S中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产DB306S，提供DB306S单相桥式整流器桥堆规格书参数。DB306S整流桥堆的作用DB306S整流桥作为一种功...
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开关稳压器中同步整流和异步整流的区别介绍DC/DC转换器的非绝缘型降压开关稳压器有前项所说明的异步整流（二极管）式和同步整流式。异步整流式是较早被使用的方式，就开关稳压器而言电路简单但效率却超过80％左右。其后，笔记本电...
耗尽型MOS管和增强型MOS管区别介绍耗尽模式和增强模式MOS管是什么耗尽型MOSFET：耗尽型 MOSFET 类似于开路开关。在此模式下，施加栅极到源极电压 （VGS） 以关闭器件。当栅极电压为负时，正电荷会在通道中累...
MOS管寄生二极管的图文介绍MOS管为什么会有寄生二极管MOS管会有寄生二极管是因为MOS管的源极和漏极之间的电阻会发生变化，这种变化会导致MOS管内部的电压发生变化，从而产生一个寄生二极管。寄生二极管可以抑制MOS管的...
DB304S贴片整流桥3A 400V的引脚图与规格书，DB304S中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产DB304S，提供DB304S单相桥式整流器桥堆规格书参数。DB304S整流桥堆的作用DB304S整流桥作为一种功...
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低通滤波器与高通滤波器区别介绍电感阻止高频信号通过而允许低频信号通过，电容的特性却相反。信号能够通过电感的滤波器、或者通过电容连接到地的滤波器对于低频信号的衰减要比高频信号小，称为低通滤波器。高通滤波器是一种电路，其电路...
可控硅如何分类方法介绍可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种电子元件，它是一种电子开关，可以根据外部电压的变化而改变其内部电流的大小。它由一个晶体管和一个可控硅构成，可控硅可以控制晶体管的开关，从而控制电路的功能。可控硅的...
PWM波形如何生成pwm是指“脉冲宽度调制”的意思；脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电...
DB302S贴片整流桥3A 100V的引脚图与规格书，DB302S中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产DB302S，提供DB302S单相桥式整流器桥堆规格书参数。DB302S整流桥堆的作用DB302S整流桥作为一种功...
DB301S贴片整流桥3A 50V的引脚图与规格书，DB301S中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产DB301S，提供DB301S单相桥式整流器桥堆规格书参数。DB301S整流桥堆的作用DB301S整流桥作为一种功率...
电路解析：波形输出的对错如何知道电路解析我们先看下电路本身，刨去二极管，那就是典型的RC高通滤波器。再看二极管的作用，具体是起到一个电压钳位的作用。我们先不分析输出波形对不对。先来看下电容充电过程，充电过程中，电容两端的...
场效应管的二阶效应介绍阈值变化由阈值电压的公式可看出，阈值电压与制造工艺和所加体偏电压VSB有关，所以在设计中把它当成一个常数。 当器件尺寸不断缩小时，此模型不再精确，阈值电压与L、W和VDS有关。对于图a：通常推导VT...
场效应管如何测量与好坏判断场效应管的三个极图解场效应管的三个极相当于三级管的三个电极，G是控制极，相当于三级管的B极，电压控制DS的导通率（三极管是电流控制型，B极控制CE的导通能力）D级是漏极，相当于三级管的集电极，S...
DB207S贴片整流桥2A 1000V的引脚图与规格书，DB207S中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产DB207S，提供DB207S单相桥式整流器桥堆规格书参数。DB207S整流桥堆的作用DB207S整流桥作为一种...
DB206S贴片整流桥2A 800V的引脚图与规格书，DB206S中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微专业生产DB206S，提供DB206S单相桥式整流器桥堆规格书参数。DB206S整流桥堆的作用DB206S整流桥作为一种功率元...
场效应管的代换规则跟互换介绍MOS管的N沟道与P沟道之间的关系纯半导体的导电性能很差，但是可以通过加入一些特殊的杂质增强其导电能力。N型MOSFET会引入额外可移动的负电荷（电子），此时为N型（N沟道）参杂，在N型MOS...
怎么计算IGBT驱动电流及驱动功率IGBT驱动电路的设计包括上下桥绝缘水平的选择、驱动电压水平的确定、驱动芯片驱动功率的确定、短路保护电路等等。今天我们重点讨论一下驱动电流以及功率的确定，也就是说如何确定一个驱动芯片电流...
热敏电阻线性化电流限制介绍包含热敏电阻的阻性网络用于对DC-DC转换器的限流输入（ILIM）进行温度补偿。降压型DC-DC转换器设计的最新进展已经消除了检流电阻，而是用压降代替低侧MOSFET（同步整流器）两端。这种拓扑...
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