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SMBJ5.0A单向丝印KE，双向丝印AE，TVS瞬态抑制二极管引脚图与规格书，SMBJ5.0中文PDF|壹芯微TVS管壹芯微科技专业生产SMBJ5.0A，提供SMBJ5.0单向双向瞬态抑制二极管规格书参数。SMBJ5....
TMBF410贴片整流桥4A 1000V的引脚图与规格书，TMBF410中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产TMBF410，提供TMBF410桥式整流器桥堆规格书参数。TMBF410整流桥堆的作用TMBF410整流桥...
时间可调的给定积分器电路如何设计如何设计时间可调的给定积分器电路？这样处理积分电路更灵活。给定积分器的作用：把用户的给定阶跃信号转换为斜坡给定信号，减少给定突变引起的瞬间冲击。1 电路图原理分析：输入信号为用户可调电阻分...
Gate-Source间电压的动作介绍低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化（下述波形示意图T1）。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述...
栅极–源极间电压的动作介绍低边开关关断时的栅极–源极间电压的动作下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号...
TMBF408贴片整流桥4A 800V的引脚图与规格书，TMBF408中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产TMBF408，提供TMBF408桥式整流器桥堆规格书参数。TMBF408整流桥堆的作用TMBF408整流桥作...
TMBF406贴片整流桥4A 600V的引脚图与规格书，TMBF406中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产TMBF406，提供TMBF406桥式整流器桥堆规格书参数。TMBF406整流桥堆的作用TMBF406整流桥作...
无源器件中的电容器详解晶体管和集成电路等有源元件利用来自电源的能量改变信号。相反，电阻器、电容器、电感器和连接器等无源元件不消耗功率——或者这样假设。然而，无源元件实际上可以而且确实以意想不到的方...
负电压浪涌的方法介绍负电压浪涌对策下图显示了同步升压电路中LS关断时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负浪涌，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q...
正电压浪涌对策和其效果介绍正电压浪涌对策下图显示了同步升压电路中LS导通时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（II），即HS（非开关侧）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所总结的，采用...
TMBF404贴片整流桥4A 400V的引脚图与规格书，TMBF404中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产TMBF404，提供TMBF404桥式整流器桥堆规格书参数。TMBF404整流桥堆的作用TMBF404整流桥作...
TMBF402贴片整流桥4A 200V的引脚图与规格书，TMBF402中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产TMBF402，提供TMBF402桥式整流器桥堆规格书参数。TMBF402整流桥堆的作用TMBF402整流桥作...
SiC功率元器件中产生的浪涌怎么应对介绍浪涌抑制电路SiC功率元器件中栅极-源极电压（VGS）的正浪涌在开关侧和非开关侧均有发生，但是尤其会造成问题的是在LS（低边）导通时的非开关侧（HS：高边）的事件（II）。右侧的波...
栅极-源极电压产生的浪涌介绍MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，它的工作速度非常快，以至于开关时的电压和电流的变化已...
单管放大电路的工作原理介绍电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示，如图。单管放大器是一种简单的电子电路，它使用一个单独的放大管...
TMBF401贴片整流桥4A 100V的引脚图与规格书，TMBF401中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产TMBF401，提供TMBF401桥式整流器桥堆规格书参数。TMBF401整流桥堆的作用TMBF401整流桥作...
TMBF4005贴片整流桥4A 50V的引脚图与规格书，TMBF4005中文PDF|壹芯微桥堆壹芯微科技专业生产TMBF4005，提供TMBF4005桥式整流器桥堆规格书参数。TMBF4005整流桥堆的作用TMBF400...
怎么处理栅极误导通的方法介绍栅极误导通”的抑制方法栅极误导通的对策方法有三种。①是通过将Vgs降至负电压（而非0V），使Vgs即使上升也不会达到阈值的增加余量方法。这种方法需要负的栅极驱动电压，所以栅极驱动器...
MOS管的开关作用介绍一、开关作用1、如下图所示：当PQ27控制脚G为低电平时，PQ27截止，此时PQ26的控制脚G为高电平，PQ26导通。当PQ27控制脚G为高电平时，PQ27导通，此时PQ26的控制脚G为低电平，PQ...
怎么提高晶体管开关速度的方法提高晶体管开关速度的方法可以通过减少晶体管的输入电容来提高晶体管的开关速度，这可以通过减少晶体管的输入电容的大小来实现，从而减少晶体管的输入电容对输入信号的衰减，从而提高晶体管的开关速度。另外...
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