搜索资讯

[技术文章]AO3401A 典型应用电路[ 2024-04-24 16:40 ]

AO3401A 是一种常用的P沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护和DC-DC转换器等领域。这种器件以其高效率和低功耗而闻名，非常适用于需要增强电源效率和延长电池寿命的便携式电子设备。AO3401A 的参数特点包括低门极电压（Vgs），通常为-20V，以及较高的漏源电压（Vds），最高可达-30V。此外，AO3401A 的漏电流极低，通常在微安级别，使得它非常适合用于低功耗应用。此外，这款MOSFET具有较低的导通阻抗，提高了设备的整体效率。在实际应用中，AO3401A 通常用于便携式设备的电池

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401adxy_1.html

[技术文章]AO3401 典型应用电路[ 2024-04-19 16:29 ]

AO3401 是一种N沟道增强模式功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于各种电子设备中，以提供高效率的电源管理和开关功能。下面是关于 AO3401 的应用场景和参数特点的详细描述：一、应用场景：- 移动设备：AO3401 由于其小尺寸和高效率，非常适合用于智能手机、平板电脑及其他便携设备的电源管理系统。- 电脑设备：在笔记本电脑和台式机的电源供应中，AO3401 能有效地控制电源的分配，确保设备稳定运行。- 充电器：用于各种电池充电器中，AO3401 能够提供稳定的充电电流，增强充电效率和安全性。- LED照明

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401dxyy_1.html

[行业资讯]AO3401场效应管参数,AO3401规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-11 15:36 ]

AO3401场效应管参数,AO3401规格书中文资料,参数代换 AO3401 PDF中文资料下载,AO3401引脚图,AO3401国产替代,厂家直销 AO3401 P沟道场效应晶体管 -30V，-4A，SOT23（或不同封装） AO3401(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)...

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401cxygC_1.html

[行业资讯]AO3401场效应管参数|AO3401(SOT23)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-18 14:53 ]

AO3401场效应管参数|AO3401(SOT23)规格书资料|壹芯微产品类型场效应管产品型号 AO3401 极性 PNP 漏源电压 -30V 漏极电流 -4.0A 封装 SOT-23

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401cxyg_1.html

[行业资讯]AO3401,AO3401场效应管参数,引脚图,AO3401规格书中文资料 - 壹芯微[ 2022-02-11 13:41 ]

AO3401,AO3401场效应管参数,引脚图,AO3401规格书中文资料 - 壹芯微产品型号：AO3401描述：MOSFET,P-CH,30V,4A,SOT23-3详细描述：表面贴装型P通道,30V,4A（Ta）,1.4W（Ta）,SOT-23-3制造商：Shenzhen Yixinwei Technology Co.,Ltd供应商：深圳市壹芯微科技有限公司规格书：AO3401规格书产品属性类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商Shenzhen Yixinwei Technol

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401ao34_1.html

[行业资讯]AO3401,SOT23,P沟道MOS场效应管参数封装引脚图规格书PDF[ 2021-08-21 15:44 ]

AO3401是P沟道MOS场效应管(MOSFET)，AO3401使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3401不含铅（符合 ROHS 和 Sony 259 规范）。AO3401L是绿色产品订购选项。 AO3401和AO3401L在电气上是相同的。

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401sot23_1.html

[行业资讯]AO3400场效应管参数封装引脚规格书PDF 全国供应商生产厂家[ 2021-08-21 11:24 ]

AO3400是N沟道NMOS场效应管，AO3401则是P沟道PMOS管，两者沟道不同，其他性能基本一致，Vds：-30V；Id：-4A；是其AO34xx代号的意思，代表主要性能；在低压开关时建议使用AO3400，AO3401，Rds(ON)导通内阻会稍小。高压开关时需要用AO3407，及以上的，Vgs不同，MOS导通内阻也不同，请比对规格书选用。

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3400sot23_1.html

[行业资讯]「AO3400,AO3401,AO3402」场效应MOS管的优势及介绍-壹芯微[ 2021-07-26 09:00 ]

「AO3400,AO3401,AO3402」场效应MOS管的优势及介绍-壹芯微MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator) — 半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输

http://www.szyxwkj.com/Article/15n1020n03_1.html

[行业资讯]AO3401 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-09 09:12 ]

AO3401 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微AO3401（P沟道增强型场效应晶体管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：SOT-23|批号：21+|备注：全新国产优质现货质量放心高性价比AO3401场效应管主要参数参数\型号AO3401极性NID(A)-4.2VDSS(V)-30RDS(ON):Max(Ω)0.05RDS(ON):VGS(Ω)-10VGS(th):(V)-0.7~1.3Gfs(min):(S)7Gfs(min):Vgs(V)5Gfs(min):Io(A)-4.2封装

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401sot2_1.html

[常见问题解答]AO3401小信号场效应晶体管参数规格中文资料[ 2021-06-03 14:27 ]

AO3401小信号场效应晶体管参数规格中文资料小信号场效应晶体管，4A I(D)，30V，1 元件，P 沟道，硅，金属氧化物半导体 FET，绿色封装-3参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期Not Recommended包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数3Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级5.81配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压30 V最大漏极电流 (ID)4 A最大漏源导通电阻0.05

http://www.szyxwkj.com/Article/ao3401xxhc_1.html

[常见问题解答]MOS管AO3401参数-壹芯微二极管[ 2019-08-01 12:42 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,MOS管AO3400参数,请看下方MOS管AO3400参数PD最大耗散功率：1.4WID最大漏源电流：-4AV(BR)DSS漏源击穿电压：-30VRDS(ON)Ω内阻：50MΩVRDS(ON)ld通态电流：-4AVRDS(ON)栅极电压：-10VVGS(th)V开启电

http://www.szyxwkj.com/Article/mosgao3401_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导 航/Navigation

地 址/Address

导航/Navigation

地址/Address