4N65场效应管参数|4N65(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微

产品类型 场效应管  产品型号 4N65  极性 NPN

漏源电压 650V  漏极电流 4.0A  封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-251,TO-251S,TO-251S2,TO-251S4,TO-252,TO-252D,TO-262,TO-263,DFN5060-8

4N65场效应管常用封装有:TO-220,TO-252

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参数资料:

4N65绝对最大额定参数:

漏源电压(V_DS) 650(V)

栅源电压(V_GS) ±30(V)

雪崩电流(I_AR) 4.4(A)

漏极电流-连续(I_D) 4.0(A)

漏极电流-脉冲(I_DM) 16(A)

单脉冲雪崩能量(E_AS) 260(mJ)

重复雪崩能量(E_AR) 10.6(mJ)

二极管恢复峰值(dv/dt) 4.5(V/ns)

功耗(T_C=25°C)(TO-220/TO-262/TO-263)(P_D) 106(W)

功耗(T_C=25°C)(TO-220F/TO-220F1/TO-220F3)(P_D) 35(W)

功耗(T_C=25°C)(TO-220F2)(P_D) 36(W)

功耗(T_C=25°C)(TO-251/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4/TO-252/TO-252D)(P_D) 50(W)

功耗(T_C=25°C)(DFN5060-8)(P_D) 30(W)

工作与贮存温度范围(T_J,T_STG) -55~150(°С)

热阻-结到环境(TO-220/TO-262/TO-263/TO-220F/TO-220F1/TO-220F2/TO-220F3)(R_θJA) 62.5(°C/W)

(TO-251/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4/TO-252/TO-252D)(R_θJA) 110(°C/W)

(DFN5060-8)(R_θJA) 75(°C/W)

热阻-结到外壳(TO-220/TO-262/TO-263)(R_θJC) 1.18(°C/W)

(TO-220F/TO-220F1/TO-220F3)(R_θJC) 3.5(°C/W)

(TO-220F2)(R_θJC) 3.4(°C/W)

(TO-251/TO-251STO-251S2/TO-251S4//TO-252/TO-252D)(R_θJC) 2.5(°C/W)

(DFN5060-8)(R_θJC) 4.17(°C/W)

焊接的最高引线温度(T_L) *(°С)

4N65各种封装外形尺寸:

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